IRF7324 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRF7324  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 36 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 630 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.018 Ohm

Encapsulados: SO8

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IRF7324 datasheet

 ..1. Size:164K  international rectifier
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IRF7324

PD - 95460 IRF7324PbF HEXFET Power MOSFET Trench Technology Ultra Low On-Resistance 1 8 S1 D1 VDSS = -20V Dual P-Channel MOSFET 2 7 G1 D1 Low Profile (

 ..2. Size:99K  international rectifier
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IRF7324

PD -93799A IRF7324 HEXFET Power MOSFET Trench Technology Ultra Low On-Resistance 1 8 S1 D1 VDSS = -20V Dual P-Channel MOSFET 2 7 G1 D1 Low Profile (

 0.1. Size:185K  international rectifier
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IRF7324

IRF7324TRPbF-1 HEXFET Power MOSFET VDS -20 V 1 8 RDS(on) max S1 D1 0.018 2 7 (@V = -4.5V) GS G1 D1 Qg (typical) 42 nC 3 6 S2 D2 ID 4 5 -9.0 A G2 D2 (@T = 25 C) A SO-8 Top View Features Benefits Industry-standard pinout SO-8 Package Multi-Vendor Compatibility Compatible with Existing Surface Mount Techniques Easier Manufacturing RoHS Compliant, Halogen-Free En

 0.2. Size:134K  international rectifier
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IRF7324

PD-95309A IRF7324D1PbF FETKY MOSFET / Schottky Diode l Co-packaged HEXFET Power 1 8 A K MOSFET and Schottky Diode VDSS = -20V 2 7 l Ideal for Mobile Phone Applications A K l Generation V Technology 3 6 S D RDS(on) = 0.27 l SO-8 Footprint 4 5 G D l Lead-Free Schottky Vf = 0.39V Top View Description The FETKYTM family of co-packaged HEXFETs and Schottky diodes offer

Otros transistores... IRF8852, IRF7103I, IRF7304Q, IRF7756G, IRF7314Q, IRF7329, IRF7316Q, IRF7306, IRFP250, IRF7750G, IRF9358, IRF5810, IRF7750, IRF9362, IRF7755G, IRF7306Q, IRF7342