IRF7755G Todos los transistores

 

IRF7755G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRF7755G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 182 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.051 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSSOP8
 

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IRF7755G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:234K  international rectifier
irf7755gpbf.pdf pdf_icon

IRF7755G

PD- 96150AIRF7755GPbFHEXFET Power MOSFETl Ultra Low On-ResistanceVDSS RDS(on) max IDl Dual P-Channel MOSFET -20V 51m@VGS = -4.5V -3.7Al Very Small SOIC Package86m@VGS = -2.5V -2.8Al Low Profile (

 7.1. Size:249K  international rectifier
irf7755.pdf pdf_icon

IRF7755G

PD -93995AIRF7755HEXFET Power MOSFET Ultra Low On-ResistanceVDSS RDS(on) max ID Dual P-Channel MOSFET -20V 51m@VGS = -4.5V -3.7A Very Small SOIC Package86m@VGS = -2.5V -2.8A Low Profile (

 8.1. Size:228K  1
irf7752g.pdf pdf_icon

IRF7755G

PD- 96151AIRF7752GPbFHEXFET Power MOSFETl Ultra Low On-Resistancel Dual N-Channel MOSFETVDSS RDS(on) max IDl Very Small SOIC Package30V 0.030@VGS = 10V 4.6Al Low Profile (

 8.2. Size:226K  1
irf7750g.pdf pdf_icon

IRF7755G

PD-96144AIRF7750GPbFHEXFET Power MOSFETl Ultra Low On-Resistancel Dual P-Channel MOSFETl Very Small SOIC PackageVDSS = -20Vl Low Profile (

Otros transistores... IRF7316Q , IRF7306 , IRF7324 , IRF7750G , IRF9358 , IRF5810 , IRF7750 , IRF9362 , IRFZ46N , IRF7306Q , IRF7342 , IRF7304 , IRF5850 , IRF7104 , IRF7342Q , IRFHS9351 , IRF9395M .

History: WNM2023 | NTZD3155CT1G

 

 
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