Справочник MOSFET. IRF7755G

 

IRF7755G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRF7755G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 182 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.051 Ohm
   Тип корпуса: TSSOP8
 

 Аналог (замена) для IRF7755G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF7755G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:234K  international rectifier
irf7755gpbf.pdfpdf_icon

IRF7755G

PD- 96150AIRF7755GPbFHEXFET Power MOSFETl Ultra Low On-ResistanceVDSS RDS(on) max IDl Dual P-Channel MOSFET -20V 51m@VGS = -4.5V -3.7Al Very Small SOIC Package86m@VGS = -2.5V -2.8Al Low Profile (

 7.1. Size:249K  international rectifier
irf7755.pdfpdf_icon

IRF7755G

PD -93995AIRF7755HEXFET Power MOSFET Ultra Low On-ResistanceVDSS RDS(on) max ID Dual P-Channel MOSFET -20V 51m@VGS = -4.5V -3.7A Very Small SOIC Package86m@VGS = -2.5V -2.8A Low Profile (

 8.1. Size:228K  1
irf7752g.pdfpdf_icon

IRF7755G

PD- 96151AIRF7752GPbFHEXFET Power MOSFETl Ultra Low On-Resistancel Dual N-Channel MOSFETVDSS RDS(on) max IDl Very Small SOIC Package30V 0.030@VGS = 10V 4.6Al Low Profile (

 8.2. Size:226K  1
irf7750g.pdfpdf_icon

IRF7755G

PD-96144AIRF7750GPbFHEXFET Power MOSFETl Ultra Low On-Resistancel Dual P-Channel MOSFETl Very Small SOIC PackageVDSS = -20Vl Low Profile (

Другие MOSFET... IRF7316Q , IRF7306 , IRF7324 , IRF7750G , IRF9358 , IRF5810 , IRF7750 , IRF9362 , IRFZ46N , IRF7306Q , IRF7342 , IRF7304 , IRF5850 , IRF7104 , IRF7342Q , IRFHS9351 , IRF9395M .

History: IRFH9310 | IRFPS38N60L | CSD23280F3 | SMC3407S | SSF1016A | SST404 | SMK0460I

 

 
Back to Top

 


 
.