IRF7342 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IRF7342
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 55 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.4 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 210 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.105 Ohm
Paquete / Cubierta: SO8
Búsqueda de reemplazo de IRF7342 MOSFET
IRF7342 datasheet
irf7342.pdf
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irf7342pbf.pdf
PD - 95200 IRF7342PbF HEXFET Power MOSFET l Generation V Technology l Ultra Low On-Resistance 1 8 l Dual P-Channel Mosfet S1 D1 VDSS = -55V l Surface Mount 2 7 G1 D1 l Available in Tape & Reel 3 6 S2 D2 l Dynamic dv/dt Rating 4 5 G2 D2 l Fast Switching RDS(on) = 0.105 l Lead-Free Top View Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanc... See More ⇒
auirf7342q.pdf
PD - 97640 AUTOMOTIVE GRADE AUIRF7342Q Advanced Planar Technology Low On-Resistance HEXFET Power MOSFET Dual P-Channel MOSFET Dynamic dV/dT Rating 1 8 S1 D1 V(BR)DSS -55V 150 C Operating Temperature 2 7 G1 D1 Fast Switching 3 6 S2 D2 RDS(on) max. 0.105 Fully Avalanche Rated 4 5 G2 D2 Lead-Free, RoHS Compliant ID -3.4A Top View Autom... See More ⇒
irf7342d2.pdf
PD- 94101 IRF7342D2 TM FETKY MOSFET & Schottky Diode Co-packaged HEXFET Power 1 8 A K MOSFET and Schottky Diode VDSS = -55V 2 7 Ideal For Buck Regulator Applications A K P-Channel HEXFET 3 6 RDS(on) = 105m S D Low VF Schottky Rectifier 4 5 G D SO-8 Footprint Schottky Vf = 0.61V Top View Description The FETKYTM family of Co-packaged HEXFETs and Schottky ... See More ⇒
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Liste
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