IRF7342 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRF7342  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 55 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 210 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.105 Ohm

Encapsulados: SO8

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IRF7342 datasheet

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IRF7342

PD -91859 IRF7342 HEXFET Power MOSFET Generation V Technology 1 8 S1 D1 Ultra Low On-Resistance VDSS = -55V 2 7 Dual P-Channel Mosfet G1 D1 Surface Mount 3 6 S2 D2 Available in Tape & Reel 4 5 G2 D2 Dynamic dv/dt Rating RDS(on) = 0.105 Fast Switching Top View Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniqu

 ..2. Size:158K  international rectifier
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IRF7342

PD - 95200 IRF7342PbF HEXFET Power MOSFET l Generation V Technology l Ultra Low On-Resistance 1 8 l Dual P-Channel Mosfet S1 D1 VDSS = -55V l Surface Mount 2 7 G1 D1 l Available in Tape & Reel 3 6 S2 D2 l Dynamic dv/dt Rating 4 5 G2 D2 l Fast Switching RDS(on) = 0.105 l Lead-Free Top View Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanc

 0.1. Size:172K  1
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IRF7342

PD - 97640 AUTOMOTIVE GRADE AUIRF7342Q Advanced Planar Technology Low On-Resistance HEXFET Power MOSFET Dual P-Channel MOSFET Dynamic dV/dT Rating 1 8 S1 D1 V(BR)DSS -55V 150 C Operating Temperature 2 7 G1 D1 Fast Switching 3 6 S2 D2 RDS(on) max. 0.105 Fully Avalanche Rated 4 5 G2 D2 Lead-Free, RoHS Compliant ID -3.4A Top View Autom

 0.2. Size:125K  international rectifier
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IRF7342

PD- 94101 IRF7342D2 TM FETKY MOSFET & Schottky Diode Co-packaged HEXFET Power 1 8 A K MOSFET and Schottky Diode VDSS = -55V 2 7 Ideal For Buck Regulator Applications A K P-Channel HEXFET 3 6 RDS(on) = 105m S D Low VF Schottky Rectifier 4 5 G D SO-8 Footprint Schottky Vf = 0.61V Top View Description The FETKYTM family of Co-packaged HEXFETs and Schottky

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