IRF7342 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: IRF7342
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.4 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 210 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.105 Ohm
Тип корпуса: SO8
Аналог (замена) для IRF7342
IRF7342 Datasheet (PDF)
irf7342.pdf

PD -91859IRF7342HEXFET Power MOSFET Generation V Technology1 8S1 D1 Ultra Low On-ResistanceVDSS = -55V2 7 Dual P-Channel MosfetG1 D1 Surface Mount3 6S2 D2 Available in Tape & Reel4 5G2 D2 Dynamic dv/dt RatingRDS(on) = 0.105 Fast SwitchingTop ViewDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniqu
irf7342pbf.pdf

PD - 95200IRF7342PbFHEXFET Power MOSFETl Generation V Technologyl Ultra Low On-Resistance1 8l Dual P-Channel Mosfet S1 D1VDSS = -55Vl Surface Mount 2 7G1 D1l Available in Tape & Reel3 6S2 D2l Dynamic dv/dt Rating4 5G2 D2l Fast SwitchingRDS(on) = 0.105l Lead-FreeTop ViewDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifierutilize advanc
auirf7342q.pdf

PD - 97640AUTOMOTIVE GRADEAUIRF7342Q Advanced Planar Technology Low On-Resistance HEXFET Power MOSFET Dual P-Channel MOSFET Dynamic dV/dT Rating 1 8S1 D1V(BR)DSS-55V 150C Operating Temperature 2 7G1 D1 Fast Switching 3 6S2 D2RDS(on) max.0.105 Fully Avalanche Rated 4 5G2 D2 Lead-Free, RoHS CompliantID-3.4ATop View Autom
irf7342d2.pdf

PD- 94101IRF7342D2TMFETKY MOSFET & Schottky Diode Co-packaged HEXFET Power1 8A KMOSFET and Schottky DiodeVDSS = -55V2 7 Ideal For Buck Regulator Applications A K P-Channel HEXFET3 6RDS(on) = 105mS D Low VF Schottky Rectifier45G D SO-8 Footprint Schottky Vf = 0.61VTop ViewDescriptionThe FETKYTM family of Co-packaged HEXFETs andSchottky
Другие MOSFET... IRF7324 , IRF7750G , IRF9358 , IRF5810 , IRF7750 , IRF9362 , IRF7755G , IRF7306Q , 75N75 , IRF7304 , IRF5850 , IRF7104 , IRF7342Q , IRFHS9351 , IRF9395M , IRF7314 , IRF7504 .
History: WMO06N80M3 | FDD770N15A | 2SK1581 | WMJ15N80M3 | WMO26N60F2 | RCX120N25 | FCU600N65S3R0
History: WMO06N80M3 | FDD770N15A | 2SK1581 | WMJ15N80M3 | WMO26N60F2 | RCX120N25 | FCU600N65S3R0



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
Popular searches
bt137 datasheet | 2n2907a datasheet | irfz24n | bd135 | d880 | 2n5457 equivalent | 2sc945 replacement | 9014 transistor