IRF7304 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IRF7304
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.3 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 26 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 310 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.09 Ohm
Encapsulados: SO8
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IRF7304 datasheet
irf7304pbf.pdf
PD - 95038 IRF7304PbF HEXFET Power MOSFET l Generation V Technology l Ultra Low On-Resistance 1 8 S1 D1 l Dual P-Channel Mosfet VDSS = -20V 2 7 G1 D1 l Surface Mount 3 6 l Available in Tape & Reel S2 D2 l Dynamic dv/dt Rating 4 5 G2 D2 RDS(on) = 0.090 l Fast Switching l Lead-Free Top View Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize adva
irf7304.pdf
PD - 9.1240C IRF7304 HEXFET Power MOSFET Generation V Technology Ultra Low On-Resistance 1 8 S1 D1 Dual P-Channel Mosfet VDSS = -20V 2 7 G1 D1 Surface Mount 3 6 Available in Tape & Reel S2 D2 Dynamic dv/dt Rating 4 5 G2 D2 RDS(on) = 0.090 Fast Switching T op V iew Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing tec
irf7304q.pdf
PD - 96104 IRF7304QPbF HEXFET Power MOSFET l Advanced Process Technology l Ultra Low On-Resistance 1 8 S1 D1 l Dual P Channel MOSFET VDSS = -20V 2 7 G1 D1 l Surface Mount l Available in Tape & Reel 3 6 S2 D2 l 150 C Operating Temperature 4 5 G2 D2 l Automotive [Q101] Qualified RDS(on) = 0.090 l Lead-Free Top View Description Specifically designed for Automotive appl
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History: AP02N40P | SSW80R160SFD | AOW10N65
History: AP02N40P | SSW80R160SFD | AOW10N65
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