IRF7343I MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IRF7343I
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: NP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 55 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.7 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 3.2 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 190 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05 Ohm
Encapsulados: SO8
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IRF7343I datasheet
irf7343ipbf.pdf
PD - 96088 IRF7343IPbF HEXFET Power MOSFET l Generation V Technology N-CHANNEL MOSFET N-Ch P-Ch 1 8 l Ultra Low On-Resistance S1 D1 l Dual N and P Channel MOSFET 2 7 G1 D1 l Surface Mount VDSS 55V -55V 3 6 S2 D2 l Fully Avalanche Rated 4 5 l Lead-Free G2 D2 P-CHANNEL MOSFET RDS(on) 0.050 0.105 Description Top View Fifth Generation HEXFETs from International Rectif
auirf7343q.pdf
PD - 96343B AUTOMOTIVE MOSFET AUIRF7343Q HEXFET Power MOSFET Features l Advanced Planar Technology N-Ch P-Ch N-CHANNEL MOSFET 1 8 l Ultra Low On-Resistance S1 D1 l Dual N and P Channel MOSFET V(BR)DSS 55V -55V 2 7 G1 D1 l Surface Mount 3 6 l Available in Tape & Reel S2 D2 RDS(on) typ. 0.043 0.095 l 150 C Operating Temperature 4 5 G2 D2 l Automotive [Q101] Qualif
irf7343pbf.pdf
PD - 92547 IRF7343PbF HEXFET Power MOSFET l Generation V Technology N-CHANNEL MOSFET N-Ch P-Ch 1 8 l Ultra Low On-Resistance S1 D1 l Dual N and P Channel MOSFET 2 7 G1 D1 l Surface Mount VDSS 55V -55V 3 6 S2 D2 l Fully Avalanche Rated 4 5 l Lead-Free G2 D2 P-CHANNEL MOSFET RDS(on) 0.050 0.105 Description Top View Fifth Generation HEXFETs from International Rectifi
irf7343.pdf
PD -91709 IRF7343 HEXFET Power MOSFET Generation V Technology N-CHANNEL MOSFET N-Ch P-Ch 1 8 Ultra Low On-Resistance S1 D1 Dual N and P Channel MOSFET 2 7 G1 D1 Surface Mount VDSS 55V -55V 3 6 S2 D2 Fully Avalanche Rated 4 5 G2 D2 P-CHANNEL MOSFET RDS(on) 0.050 0.105 Description Top View Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced
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History: BUZ380 | 2SK2673 | BSR302N | IPA60R120C7 | SL20N03 | AFN4172WSS8
History: BUZ380 | 2SK2673 | BSR302N | IPA60R120C7 | SL20N03 | AFN4172WSS8
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Liste
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MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
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