IRF7343I. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: IRF7343I
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: NP
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 55 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.7 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 3.2 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 190 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm
Тип корпуса: SO8
Аналог (замена) для IRF7343I
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
IRF7343I даташит
irf7343ipbf.pdf
PD - 96088 IRF7343IPbF HEXFET Power MOSFET l Generation V Technology N-CHANNEL MOSFET N-Ch P-Ch 1 8 l Ultra Low On-Resistance S1 D1 l Dual N and P Channel MOSFET 2 7 G1 D1 l Surface Mount VDSS 55V -55V 3 6 S2 D2 l Fully Avalanche Rated 4 5 l Lead-Free G2 D2 P-CHANNEL MOSFET RDS(on) 0.050 0.105 Description Top View Fifth Generation HEXFETs from International Rectif
auirf7343q.pdf
PD - 96343B AUTOMOTIVE MOSFET AUIRF7343Q HEXFET Power MOSFET Features l Advanced Planar Technology N-Ch P-Ch N-CHANNEL MOSFET 1 8 l Ultra Low On-Resistance S1 D1 l Dual N and P Channel MOSFET V(BR)DSS 55V -55V 2 7 G1 D1 l Surface Mount 3 6 l Available in Tape & Reel S2 D2 RDS(on) typ. 0.043 0.095 l 150 C Operating Temperature 4 5 G2 D2 l Automotive [Q101] Qualif
irf7343pbf.pdf
PD - 92547 IRF7343PbF HEXFET Power MOSFET l Generation V Technology N-CHANNEL MOSFET N-Ch P-Ch 1 8 l Ultra Low On-Resistance S1 D1 l Dual N and P Channel MOSFET 2 7 G1 D1 l Surface Mount VDSS 55V -55V 3 6 S2 D2 l Fully Avalanche Rated 4 5 l Lead-Free G2 D2 P-CHANNEL MOSFET RDS(on) 0.050 0.105 Description Top View Fifth Generation HEXFETs from International Rectifi
irf7343.pdf
PD -91709 IRF7343 HEXFET Power MOSFET Generation V Technology N-CHANNEL MOSFET N-Ch P-Ch 1 8 Ultra Low On-Resistance S1 D1 Dual N and P Channel MOSFET 2 7 G1 D1 Surface Mount VDSS 55V -55V 3 6 S2 D2 Fully Avalanche Rated 4 5 G2 D2 P-CHANNEL MOSFET RDS(on) 0.050 0.105 Description Top View Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced
Другие MOSFET... IRF7328 , IRF7754G , IRF7509 , IRF7309 , IRF7105 , IRF7307 , IRF7105Q , IRF7389 , IRFB7545 , IRF7343Q , IRF7309I , IRF7379I , IRF7319 , IRF7317 , IRF7379Q , IRF7309Q , IRF7507 .
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
Popular searches
irf9540n datasheet | ss8050 | irfp4668 | mpsa56 | c3205 transistor | tip35c datasheet | 2n5401 datasheet | mj21194g








