IRF7343Q Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRF7343Q  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 55 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 3.2 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 190 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05 Ohm

Encapsulados: SO8

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IRF7343Q datasheet

 ..1. Size:238K  international rectifier
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IRF7343Q

PD - 96110 IRF7343QPBF HEXFET Power MOSFET l Advanced Process Technology N-CHANNEL MOSFET N-Ch P-Ch 1 l Ultra Low On-Resistance 8 S1 D1 l Dual N and P Channel MOSFET 2 7 G1 D1 l Surface Mount VDSS 55V -55V 3 6 l Available in Tape & Reel S2 D2 l 150 C Operating Temperature 4 5 G2 D2 l Automotive [Q101] Qualified P-CHANNEL MOSFET RDS(on) 0.050 0.105 l Lead-Free To

 0.1. Size:225K  1
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IRF7343Q

PD - 96343B AUTOMOTIVE MOSFET AUIRF7343Q HEXFET Power MOSFET Features l Advanced Planar Technology N-Ch P-Ch N-CHANNEL MOSFET 1 8 l Ultra Low On-Resistance S1 D1 l Dual N and P Channel MOSFET V(BR)DSS 55V -55V 2 7 G1 D1 l Surface Mount 3 6 l Available in Tape & Reel S2 D2 RDS(on) typ. 0.043 0.095 l 150 C Operating Temperature 4 5 G2 D2 l Automotive [Q101] Qualif

 0.2. Size:323K  infineon
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IRF7343Q

AUTOMOTIVE GRADE AUIRF7343Q Features N-CHANNEL MOSFET N-CH P-CH Advanced Planar Technology 1 8 S1 D1 VDSS 55V -55V Ultra Low On-Resistance 2 7 G1 D1 Logic Level Gate Drive RDS(on) typ. 0.043 0.095 3 6 S2 D2 Dual N and P Channel MOSFET max. 0.050 0.105 4 5 G2 D2 Surface Mount P-CHANNEL MOSFET ID 4.7A -3.4A Availabl

 0.3. Size:3361K  cn vbsemi
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IRF7343Q

IRF7343QTR www.VBsemi.tw N- and P-Channel 60-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Available 0.028 at VGS = 10 V 5.3 TrenchFET Power MOSFET N-Channel 60 6 nC 0.031 at VGS = 4.5 V 4.7 100 % Rg and UIS Tested 0.050 at VGS = - 10 V - 4.9 APPLICATIONS P-Channel - 60 8 nC 0.060 at VG

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