IRF7343Q Todos los transistores

 

IRF7343Q MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRF7343Q

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 2 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 55 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 4.7 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Carga de compuerta (Qg): 24 nC

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.05 Ohm

Empaquetado / Estuche: SO8

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IRF7343Q Datasheet (PDF)

1.1. irf7343qpbf.pdf Size:238K _upd-mosfet

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PD - 96110 IRF7343QPBF HEXFET® Power MOSFET l Advanced Process Technology N-CHANNEL MOSFET N-Ch P-Ch 1 l Ultra Low On-Resistance 8 S1 D1 l Dual N and P Channel MOSFET 2 7 G1 D1 l Surface Mount VDSS 55V -55V 3 6 l Available in Tape & Reel S2 D2 l 150°C Operating Temperature 4 5 G2 D2 l Automotive [Q101] Qualified P-CHANNEL MOSFET RDS(on) 0.050Ω 0.105Ω l Lead-Free To

3.1. irf7343ipbf.pdf Size:210K _upd-mosfet

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PD - 96088 IRF7343IPbF HEXFET® Power MOSFET l Generation V Technology N-CHANNEL MOSFET N-Ch P-Ch 1 8 l Ultra Low On-Resistance S1 D1 l Dual N and P Channel MOSFET 2 7 G1 D1 l Surface Mount VDSS 55V -55V 3 6 S2 D2 l Fully Avalanche Rated 4 5 l Lead-Free G2 D2 P-CHANNEL MOSFET RDS(on) 0.050Ω 0.105Ω Description Top View Fifth Generation HEXFETs from International Rectif

3.2. irf7343.pdf Size:143K _international_rectifier

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PD -91709 IRF7343 HEXFET Power MOSFET Generation V Technology N-CHANNEL MOSFET N-Ch P-Ch 1 8 Ultra Low On-Resistance S1 D1 Dual N and P Channel MOSFET 2 7 G1 D1 Surface Mount VDSS 55V -55V 3 6 S2 D2 Fully Avalanche Rated 4 5 G2 D2 P-CHANNEL MOSFET RDS(on) 0.050? 0.105? Description Top View Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processi

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