IRF7379I Todos los transistores

 

IRF7379I MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRF7379I
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 21 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 180 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.045 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO8
 

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IRF7379I Datasheet (PDF)

 ..1. Size:201K  international rectifier
 irf7379ipbf.pdf pdf_icon

IRF7379I

PD - 96089IRF7379IPbFHEXFET Power MOSFETl Generation V TechnologyN-CHANNEL MOSFETN-Ch P-Ch1 8l Ultra Low On-Resistance S1 D1l Complimentary Half Bridge 2 7G1 D1VDSS 30V -30Vl Surface Mount3 6S2 D2l Fully Avalanche Rated45G2 D2l Lead-FreeP-CHANNEL MOSFETRDS(on) 0.045 0.090Top ViewDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifie

 7.1. Size:349K  1
 auirf7379q.pdf pdf_icon

IRF7379I

AUTOMOTIVE GRADE AUIRF7379Q Features N-CHANNEL MOSFET N-CH P-CH Advanced Planar Technology 1 8S1 D1 Low On-Resistance VDSS 30V -30V 2 7G1 D1 Logic Level Gate Drive RDS(on) typ. 0.038 0.0703 6S2 D2 Dual N and P Channel MOSFET max. 0.045 0.09045G2 D2 Surface Mount P-CHANNEL MOSFETID 5.8A -4.3A Available in

 7.2. Size:245K  international rectifier
 irf7379qpbf.pdf pdf_icon

IRF7379I

PD - 96111IRF7379QPbFHEXFET Power MOSFETl Advanced Process TechnologyN-CHANNEL MOSFETN-Ch P-Ch1 8l Ultra Low On-ResistanceS1 D1l Dual N and P Channel MOSFET2 7G1 D1l Surface MountVDSS 30V -30V3 6S2 D2l Available in Tape & Reell 150C Operating Temperature 45G2 D2P-CHANNEL MOSFETl Automotive [Q101] QualifiedRDS(on) 0.045 0.090l Lead-FreeTo

 7.3. Size:215K  international rectifier
 irf7379.pdf pdf_icon

IRF7379I

PD - 91625IRF7379HEXFET Power MOSFET Generation V TechnologyN-CHANNEL MOSFETN-Ch P-Ch1 8 Ultra Low On-Resistance S1 D12 7 Complimentary Half BridgeG1 D1VDSS 30V -30V Surface Mount3 6S2 D2 Fully Avalanche Rated45G2 D2P-CHANNEL MOSFETRDS(on) 0.045 0.090Top ViewDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifierutilize advanced p

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