2SK3767 MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

2SK3767 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SK3767

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4.5 Ohm

Encapsulados: TO220SIS

Búsqueda de reemplazo de 2SK3767 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

2SK3767 datasheet

..1. Size:228K toshiba
2sk3767.pdf pdf_icon

2SK3767 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type ( -MOSVI) 2SK3767 Switching Regulator Applications Unit mm Low drain-source ON resistance RDS (ON) = 3.3 (typ.) High forward transfer admittance Yfs = 1.6S (typ.) Low leakage current IDSS = 100 A (VDS = 600 V) Enhancement mode Vth = 2.0 to 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA) Maximum Ratings

..2. Size:279K inchange semiconductor
2sk3767.pdf pdf_icon

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK3767 FEATURES Drain Current I = 2.0A@ T =25 D C Drain Source Voltage V = 600V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 4.5 (Max) @ V = 10V DS(on) GS 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION motor drive, DC-DC converter, power switch and soleno

8.1. Size:89K toshiba
2sk3761.pdf pdf_icon

2SK3761 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type ( -MOS ) 2SK3761 unit Switching Regulator Applications 4.7max 4.7 max 10.5 max 10.5max 3.84 0.2 1.3 3.84 0.2 1.3 Low drain-source ON resistance R = 0.9 (typ.) DS (ON) High forward transfer admittance Y = 5.0S (typ.) fs Low leakage current I = 100 A (V = 600 V)

8.2. Size:274K toshiba
2sk3766.pdf pdf_icon

2SK3766 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type ( -MOSVI) 2SK3766 Switching Regulator Applications Unit mm Low drain-source ON resistance RDS (ON) = 1.9 (typ.) High forward transfer admittance Yfs = 0.65 S (typ.) Low leakage current IDSS = 100 A (max) (VDS = 450 V) Enhancement model Vth = 3.5 4.5 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA) Absolut

Otros transistores... 2SK3633, 2SK3658, 2SK3670, 2SK3700, 2SK3742, 2SK3754, 2SK3757, 2SK3766, AON7403, 2SK3798, 2SK3799, 2SK3842, 2SK3843, 2SK3845, 2SK3878, 2SK3880, 2SK3940

2SK3767 Todos los transistores