HN1L03FU MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HN1L03FU

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 50 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 10 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.05 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 5.7 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 50 Ohm

Encapsulados: SOT363 SC88 US6

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HN1L03FU datasheet

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HN1L03FU

HN1L03FU TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N P Channel MOS Type HN1L03FU Unit in mm High Speed Switching Applications Analog Switch Applications Q1, Q2 common Low threshold voltage Q1 V = 0.8 2.5V Q2 V =-0.5 -1.5V th th High speed Small package Q1 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Characteristics Symbol Rating Unit Drain-Source voltage VDS 50 V Gate-

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HN1L03FU

HN1L02FU TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N P Channel MOS Type HN1L02FU Unit in mm High Speed Switching Applications Analog Switch Applications Q1, Q2 common 2.5V gate drive Low threshold voltage Q1 V = 0.5 1.5V Q2 V =-0.5 -1.5V th th High speed Small package Q1 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Characteristics Symbol Rating Unit Drain-Source vol

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