HN1L03FU datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HN1L03FU  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 50 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.05 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 5.7 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 50 Ohm

Тип корпуса: SOT363 SC88 US6

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для HN1L03FU

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HN1L03FU даташит

 ..1. Size:468K  toshiba
 hn1l03fu.pdf pdf_icon

HN1L03FU

HN1L03FU TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N P Channel MOS Type HN1L03FU Unit in mm High Speed Switching Applications Analog Switch Applications Q1, Q2 common Low threshold voltage Q1 V = 0.8 2.5V Q2 V =-0.5 -1.5V th th High speed Small package Q1 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Characteristics Symbol Rating Unit Drain-Source voltage VDS 50 V Gate-

 9.1. Size:464K  toshiba
 hn1l02fu.pdf pdf_icon

HN1L03FU

HN1L02FU TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N P Channel MOS Type HN1L02FU Unit in mm High Speed Switching Applications Analog Switch Applications Q1, Q2 common 2.5V gate drive Low threshold voltage Q1 V = 0.5 1.5V Q2 V =-0.5 -1.5V th th High speed Small package Q1 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Characteristics Symbol Rating Unit Drain-Source vol

Другие IGBT... 2SK4207, HN1J02FU, HN1K02FU, HN1K03FU, HN1K04FU, HN1K05FU, HN1K06FU, HN1L02FU, IRFZ44, HN4K03JU, SSM3J01F, SSM3J01T, SSM3J02F, SSM3J02T, SSM3J05FU, SSM3J09FU, SSM3J108TU