HN1L03FU - аналоги и даташиты транзистора

 

HN1L03FU - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: HN1L03FU
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 50 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.05 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 5.7 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 50 Ohm
   Тип корпуса: SOT363 SC88 US6

 Аналог (замена) для HN1L03FU

 

HN1L03FU Datasheet (PDF)

 ..1. Size:468K  toshiba
 hn1l03fu.pdf pdf_icon

HN1L03FU

HN1L03FU TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N P Channel MOS Type HN1L03FU Unit in mm High Speed Switching Applications Analog Switch Applications Q1, Q2 common Low threshold voltage Q1 V = 0.8 2.5V Q2 V =-0.5 -1.5V th th High speed Small package Q1 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Characteristics Symbol Rating Unit Drain-Source voltage VDS 50 V Gate-

 9.1. Size:464K  toshiba
 hn1l02fu.pdf pdf_icon

HN1L03FU

HN1L02FU TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N P Channel MOS Type HN1L02FU Unit in mm High Speed Switching Applications Analog Switch Applications Q1, Q2 common 2.5V gate drive Low threshold voltage Q1 V = 0.5 1.5V Q2 V =-0.5 -1.5V th th High speed Small package Q1 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Characteristics Symbol Rating Unit Drain-Source vol

Другие MOSFET... 2SK4207 , HN1J02FU , HN1K02FU , HN1K03FU , HN1K04FU , HN1K05FU , HN1K06FU , HN1L02FU , IRFP260N , HN4K03JU , SSM3J01F , SSM3J01T , SSM3J02F , SSM3J02T , SSM3J05FU , SSM3J09FU , SSM3J108TU .

History: PSMN3R3-40MSH | AP02N90H

 

 
Back to Top

 


 
.