HN1L03FU Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: HN1L03FU
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: NP
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.2 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 50 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.05 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Cossⓘ - Выходная емкость: 5.7 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 50 Ohm
Тип корпуса: SOT363 SC88 US6
Аналог (замена) для HN1L03FU
HN1L03FU Datasheet (PDF)
hn1l03fu.pdf

HN1L03FU TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon NP Channel MOS Type HN1L03FU Unit in mmHigh Speed Switching Applications Analog Switch Applications Q1, Q2 common Low threshold voltage Q1: V = 0.8~2.5V Q2: V =-0.5~-1.5V th th High speed Small package Q1 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) Characteristics Symbol Rating UnitDrain-Source voltage VDS 50 VGate-
hn1l02fu.pdf

HN1L02FU TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon NP Channel MOS Type HN1L02FU Unit in mmHigh Speed Switching Applications Analog Switch Applications Q1, Q2 common 2.5V gate drive Low threshold voltage Q1: V = 0.5~1.5V Q2: V =-0.5~-1.5V th th High speed Small package Q1 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) Characteristics Symbol Rating UnitDrain-Source vol
Другие MOSFET... 2SK4207 , HN1J02FU , HN1K02FU , HN1K03FU , HN1K04FU , HN1K05FU , HN1K06FU , HN1L02FU , 10N60 , HN4K03JU , SSM3J01F , SSM3J01T , SSM3J02F , SSM3J02T , SSM3J05FU , SSM3J09FU , SSM3J108TU .
History: 2N7008 | FCB36N60NTM | FDD2670 | AP1203GH
History: 2N7008 | FCB36N60NTM | FDD2670 | AP1203GH



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL0604AGQ | JMSL0604AG | JMSL0603PG | JMSL0603BGQ | JMSL0603BG | JMSL0603AK | JMSL0602PG | JMSL0602MG | JMSL0602AGQ | JMSL0602AG | JMSL0601TG | JMSL0601BGQ | JMSL0601BG | JMSL0601AGQ | JMSL0601AG | JMTP330N06D
Popular searches
tip147 datasheet | 2n4124 | mj15022 | toshiba c5198 | irf520n datasheet | tip107 | 2n5457 | k3568