SSM3J325F MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SSM3J325F
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.6 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 40 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.15 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT346 SC59 SMINI
Búsqueda de reemplazo de SSM3J325F MOSFET
SSM3J325F Datasheet (PDF)
ssm3j325f.pdf

SSM3J325F TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type (U-MOS) SSM3J325F Power Management Switch Applications Unit: mm +0.5 1.5-V drive 2.5-0.3+0.25 Low ON-resistance: R = 311 m (max) (@V = -1.5 V) DS(ON) GS1.5-0.15 R = 231 m (max) (@V = -1.8 V) DS(ON) GS R = 179 m (max) (@V = -2.5 V) DS(ON) GS1 R = 150 m (max) (@V = -4.5 V)
Otros transistores... SSM3J305T , SSM3J306T , SSM3J307T , SSM3J312T , SSM3J313T , SSM3J314T , SSM3J317T , SSM3J321T , STF13NM60N , SSM3J326T , SSM3J327F , SSM3J327R , SSM3J328R , SSM3J332R , SSM3J334R , SSM3J35CT , SSM3J35FS .
History: HGA190N15SL | APT50M50L2LLG | NVMFS5C450N | FMP76-010T
History: HGA190N15SL | APT50M50L2LLG | NVMFS5C450N | FMP76-010T



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JMTE6888A | JMTE3003A | JMTE3002B | JMTE068N07A | JMTE060N06A | JMTE035N06D | JMTE035N04A | JMTE025N04D | JMTE018N03A | JMTD3134K | JMTD2N7002KS | JMSL1509PG | JMSL10A13P | JMSL10A13L | JMSL10A13K | JMSL1010PU
Popular searches
13003 transistor datasheet | 2n3416 | bdx53c | k3563 | d882p | 2sb1560 | 2n1304 | 2sa979