SSM3J36MFV MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SSM3J36MFV
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.15 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.33 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 10.3 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.31 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT723 VESM

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SSM3J36MFV

SSM3J36MFV Datasheet (PDF)

..1. Size:161K toshiba
ssm3j36mfv.pdf

SSM3J36MFV TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type SSM3J36MFV Power Management Switches 1.5-V drive Unit: mm Low ON-resistance: Ron = 3.60 (max) (@VGS = -1.5 V) : Ron = 2.70 (max) (@VGS = -1.8 V) 1.20.05 : Ron = 1.60 (max) (@VGS = -2.8 V) : Ron = 1.31 (max) (@VGS = -4.5 V) 0.80.05 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) 1 Ch

7.1. Size:184K toshiba
ssm3j36fs.pdf

SSM3J36FS TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type SSM3J36FS Power Management Switches 1.5-V drive Unit: mm Low ON-resistance: Ron = 3.60 (max) (@VGS = -1.5 V) : Ron = 2.70 (max) (@VGS = -1.8 V) : Ron = 1.60 (max) (@VGS = -2.8 V) : Ron = 1.31 (max) (@VGS = -4.5 V) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Characteristics Symbol Rating

7.2. Size:180K toshiba
ssm3j36tu.pdf

SSM3J36TU TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type SSM3J36TU Power Management Switches 1.5-V drive Unit: mm Low ON-resistance: Ron = 3.60 (max) (@VGS = -1.5 V) : Ron = 2.70 (max) (@VGS = -1.8 V) 2.10.1: Ron = 1.60 (max) (@VGS = -2.8 V) 1.70.1: Ron = 1.31 (max) (@VGS = -4.5 V) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) 132

7.3. Size:784K cn vbsemi
ssm3j36fs.pdf

SSM3J36FSwww.VBsemi.twP-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (TYP.) (nC) 100 % R tested0.450 at VGS = -4.5 V -0.55 Fast switching speed-20 0.500 at VGS = -2.5 V -0.50 10.600 at VGS = -1.8 V -0.38APPLICATIONS Load / power switch for portabledevicesS Drivers: relays, solenoids, display

Otros transistores... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: