SSM3J36MFV. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SSM3J36MFV

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.15 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.33 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 10.3 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.31 Ohm

Тип корпуса: SOT723 VESM

Аналог (замена) для SSM3J36MFV

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSM3J36MFV даташит

 ..1. Size:161K  toshiba
 ssm3j36mfv.pdf pdf_icon

SSM3J36MFV

SSM3J36MFV TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type SSM3J36MFV Power Management Switches 1.5-V drive Unit mm Low ON-resistance Ron = 3.60 (max) (@VGS = -1.5 V) Ron = 2.70 (max) (@VGS = -1.8 V) 1.2 0.05 Ron = 1.60 (max) (@VGS = -2.8 V) Ron = 1.31 (max) (@VGS = -4.5 V) 0.8 0.05 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) 1 Ch

 7.1. Size:184K  toshiba
 ssm3j36fs.pdf pdf_icon

SSM3J36MFV

SSM3J36FS TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type SSM3J36FS Power Management Switches 1.5-V drive Unit mm Low ON-resistance Ron = 3.60 (max) (@VGS = -1.5 V) Ron = 2.70 (max) (@VGS = -1.8 V) Ron = 1.60 (max) (@VGS = -2.8 V) Ron = 1.31 (max) (@VGS = -4.5 V) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Characteristics Symbol Rating

 7.2. Size:180K  toshiba
 ssm3j36tu.pdf pdf_icon

SSM3J36MFV

SSM3J36TU TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type SSM3J36TU Power Management Switches 1.5-V drive Unit mm Low ON-resistance Ron = 3.60 (max) (@VGS = -1.5 V) Ron = 2.70 (max) (@VGS = -1.8 V) 2.1 0.1 Ron = 1.60 (max) (@VGS = -2.8 V) 1.7 0.1 Ron = 1.31 (max) (@VGS = -4.5 V) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) 1 3 2

 7.3. Size:784K  cn vbsemi
 ssm3j36fs.pdf pdf_icon

SSM3J36MFV

SSM3J36FS www.VBsemi.tw P-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (TYP.) (nC) 100 % R tested 0.450 at VGS = -4.5 V -0.55 Fast switching speed -20 0.500 at VGS = -2.5 V -0.50 1 0.600 at VGS = -1.8 V -0.38 APPLICATIONS Load / power switch for portable devices S Drivers relays, solenoids, display

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SSM3J327R, SSM3J328R, SSM3J332R, SSM3J334R, SSM3J35CT, SSM3J35FS, SSM3J35MFV, SSM3J36FS, IRF2807, SSM3J36TU, SSM3J46CTB, SSM3J56MFV, SSM3K01F, SSM3K01T, SSM3K02F, SSM3K02T, SSM3K05FU