SSM3K16FU MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SSM3K16FU

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.15 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 10 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.1 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 9.8 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3 Ohm

Encapsulados: SOT323 SC70 USM

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SSM3K16FU datasheet

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SSM3K16FU

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SSM3K16FU

SSM3K16FS TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type SSM3K16FS High Speed Switching Applications Unit mm Analog Switch Applications Suitable for high-density mounting due to compact package Low on resistance Ron = 3.0 (max) (@VGS = 4 V) Ron = 4.0 (max) (@VGS = 2.5 V) Ron = 15 (max) (@VGS = 1.5 V) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C)

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SSM3K16FU

SSM3K16FV TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type SSM3K16FV High Speed Switching Applications nit mm Analog Switch Applications 1.2 0.05 Suitable for high-density mounting due to compact package 0.8 0.05 Low on-resistance Ron = 3.0 (max) (@VGS = 4 V) Ron = 4.0 (max) (@VGS = 2.5 V) Ron = 15 (max) (@VGS = 1.5 V) 1 Absolute Max

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SSM3K16FU

SSM3K16TE TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type SSM3K16TE High Speed Switching Applications Unit mm Analog Switch Applications Suitable for high-density mounting due to compact package Low on resistance Ron = 3.0 (max) (@VGS = 4 V) Ron = 4.0 (max) (@VGS = 2.5 V) Ron = 15 (max) (@VGS = 1.5 V) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C)

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