SSM5N16FE MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SSM5N16FE

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.15 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 10 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.1 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 9.8 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3 Ohm

Encapsulados: SOT553 ESV

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SSM5N16FE datasheet

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SSM5N16FE

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SSM5N16FE

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SSM5N16FE

SSM5N15FU TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type SSM5N15FU High Speed Switching Applications Unit mm Analog Switch Applications Small package Low ON resistance RDS (ON) = 4.0 (max) (@VGS = 4 V) RDS (ON) = 7.0 (max) (@VGS = 2.5 V) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) (Q1, Q2 Common) Characteristics Symbol Rating Unit Drain-Source vol

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SSM5N16FE

SSM5N15FE TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type SSM5N15FE High Speed Switching Applications Unit mm Analog Switch Applications Small package Low ON resistance Ron = 4.0 (max) (@VGS = 4 V) Ron = 7.0 (max) (@VGS = 2.5 V) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) (Q1, Q2 Common) Characteristics Symbol Rating Unit Drain-Source voltage VDS

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