SSM6K32TU MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SSM6K32TU
   Código: KNB
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 5 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 140 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 65 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.3 Ohm
   Paquete / Cubierta: UF6

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SSM6K32TU

SSM6K32TU Datasheet (PDF)

..1. Size:819K toshiba
ssm6k32tu.pdf

SSM6K32TU TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type SSM6K32TU Unit: mm Relay drive, DC/DC converter application 4Vdrive Low on resistance: Ron = 440m (max) (@VGS = 4 V) Ron = 300m (max) (@VGS = 10 V) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25) Characteristics Symbol Rating UnitDrain-Source voltage VDS 60 VGate-Source voltage VGSS 20 VDC ID 2

8.1. Size:200K toshiba
ssm6k34tu.pdf

SSM6K34TU TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type SSM6K34TU High Current Switching Applications Unit: mmPower Management Switch Applications 4.5V drive Low on resistance: :Ron = 77 m (max) (@VGS = 4.5 V) :Ron = 50 m (max) (@VGS = 10 V) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) Characteristics Symbol Rating UnitDrain-Source voltage VDS 30 VGate

8.2. Size:261K toshiba
ssm6k30fe.pdf

SSM6K30FE TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (-MOS VII) SSM6K30FE High-speed switching Unit: mm DC-DC Converter Small package Low RDS (ON): RDS(ON) = 210 m (max) (@VGS = 10 V) : R DS(ON) = 420 m (max) (@VGS = 4 V) High-speed switching: ton = 19 ns (typ.) : toff = 10 ns (typ.) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) 1,2,5,6

8.3. Size:93K toshiba
ssm6k31fe.pdf

SSM6K31FE Silicon P Channel MOS Type (-MOS) SSM6K31FE TENTATIVE High speed switching Unit: mm DC-DC Converter small package Low RDS (ON) : Ron = 240 m (typ) (@VGS = 10 V) : Ron = 400 m (typ) (@VGS = 4 V) Maximum Ratings (Ta = 25C) MOSFET Characteristics Symbol Rating UnitDrain-Source voltage VDS 20 VGate-Source voltage VGSS 20 V 1,2,5,6 :

Otros transistores... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: