SSM6K32TU MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SSM6K32TU
Маркировка: KNB
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 5 nC
trⓘ - Время нарастания: 140 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 65 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm
Тип корпуса: UF6
SSM6K32TU Datasheet (PDF)
ssm6k32tu.pdf
SSM6K32TU TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type SSM6K32TU Unit: mm Relay drive, DC/DC converter application 4Vdrive Low on resistance: Ron = 440m (max) (@VGS = 4 V) Ron = 300m (max) (@VGS = 10 V) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25) Characteristics Symbol Rating UnitDrain-Source voltage VDS 60 VGate-Source voltage VGSS 20 VDC ID 2
ssm6k34tu.pdf
SSM6K34TU TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type SSM6K34TU High Current Switching Applications Unit: mmPower Management Switch Applications 4.5V drive Low on resistance: :Ron = 77 m (max) (@VGS = 4.5 V) :Ron = 50 m (max) (@VGS = 10 V) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) Characteristics Symbol Rating UnitDrain-Source voltage VDS 30 VGate
ssm6k30fe.pdf
SSM6K30FE TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (-MOS VII) SSM6K30FE High-speed switching Unit: mm DC-DC Converter Small package Low RDS (ON): RDS(ON) = 210 m (max) (@VGS = 10 V) : R DS(ON) = 420 m (max) (@VGS = 4 V) High-speed switching: ton = 19 ns (typ.) : toff = 10 ns (typ.) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) 1,2,5,6
ssm6k31fe.pdf
SSM6K31FE Silicon P Channel MOS Type (-MOS) SSM6K31FE TENTATIVE High speed switching Unit: mm DC-DC Converter small package Low RDS (ON) : Ron = 240 m (typ) (@VGS = 10 V) : Ron = 400 m (typ) (@VGS = 4 V) Maximum Ratings (Ta = 25C) MOSFET Characteristics Symbol Rating UnitDrain-Source voltage VDS 20 VGate-Source voltage VGSS 20 V 1,2,5,6 :
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
History: SIHFBC30L
History: SIHFBC30L
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918