SSM6K411TU MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SSM6K411TU
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 240 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.012 Ohm
Paquete / Cubierta: UF6
Búsqueda de reemplazo de SSM6K411TU MOSFET
SSM6K411TU Datasheet (PDF)
ssm6k411tu.pdf

SSM6K411TU TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type SSM6K411TU Power Management Switch Applications High-Speed Switching Applications Unit: mm 2.5-V drive 2.10.1 Low ON-resistanceRDS(ON) = 23.8 m (max) (@VGS = 2.5 V) 1.70.1 RDS(ON) = 14.3 m (max) (@VGS = 3.5 V) RDS(ON) = 12 m (max) (@VGS = 4.5 V) 1 62 5Absolute Maximum
ssm6k406tu.pdf

SSM6K406TU TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type SSM6K406TU High-Speed Switching Applications 4.5-V drive Unit: mm Low ON-resistance: Ron = 38.5 m (max) (@VGS = 4.5 V) 2.10.1 Ron = 25.0 m (max) (@VGS = 10 V) 1.70.1Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) 1 6Characteristics Symbol Rating Unit2 5Drainsource voltage VDSS 30 V3 4
ssm6k403tu.pdf

SSM6K403TU TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon N-Channel MOS MOS SSM6K403TU Power Management Switch Applications UNIT: mm High-Speed Switching Applications 2.10.11.70.11 6 1.5V drive Low ON-resistance:Ron = 66m (max) (@VGS = 1.5V) 2 5Ron = 43m (max) (@VGS = 1.8V) 3 4Ron = 32m (max) (@VGS = 2.5V) Ron = 28m (max) (@VGS = 4.0V) Absolute
ssm6k404tu.pdf

SSM6K404TU TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type SSM6K404TU High-Speed Switching Applications Power Management Switch Applications Unit: mm 1.5-V drive Low ON-resistance: RDS(ON) = 147 m (max) (@VGS = 1.5 V) 2.10.1RDS(ON) = 100 m (max) (@VGS = 1.8 V) 1.70.1RDS(ON) = 70 m (max) (@VGS = 2.5 V) RDS(ON) = 55 m (max) (@VGS =
Otros transistores... SSM6K31FE , SSM6K32TU , SSM6K34TU , SSM6K403TU , SSM6K404TU , SSM6K405TU , SSM6K406TU , SSM6K407TU , BS170 , SSM6L05FU , SSM6L09FU , SSM6L10TU , SSM6L11TU , SSM6L12TU , SSM6L13TU , SSM6L14FE , SSM6L16FE .
History: FDU6688 | LSB55R050GT | UPA1950 | BSL207SP | S85N042RP | HM10P10D
History: FDU6688 | LSB55R050GT | UPA1950 | BSL207SP | S85N042RP | HM10P10D



Liste
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MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
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