SSM6N40TU MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SSM6N40TU

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 34 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.122 Ohm

Encapsulados: UF6

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SSM6N40TU datasheet

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SSM6N40TU

SSM6N40TU TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type SSM6N40TU Power Management Switch Applications Unit mm 2.1 0.1 High-Speed Switching Applications 1.7 0.1 4 V drive N-ch 2-in-1 1 6 Low ON-resistance Ron = 182m (max) (@VGS = 4 V) 2 5 Ron = 122m (max) (@VGS = 10 V) 3 4 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) (Q1, Q2 Common)

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SSM6N40TU

SSM6N48FU TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOSIII) SSM6N48FU Load Switching Applications Unit mm 2.5-V drive N-ch 2-in-1 Low ON-resistance RDS(ON) = 3.2 (max) (@VGS = 4.0 V) RDS(ON) = 5.4 (max) (@VGS = 2.5 V) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) (Q1, Q2 Common) Characteristics Symbol Rating Unit Drain-Source voltage VDSS 30

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SSM6N40TU

SSM6N44FE TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type SSM6N44FE High Speed Switching Applications Unit mm Analog Switching Applications 1.6 0.05 Compact package suitable for high-density mounting 1.2 0.05 Low ON-resistance RDS(ON) = 4.0 (max) (@VGS = 4 V) RDS(ON) = 7.0 (max) (@VGS = 2.5 V) 1 6 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) 2 5

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SSM6N40TU

SSM6N42FE TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type SSM6N42FE Power Management Switch Applications High-Speed Switching Applications mm 1.6 0.05 1.5V drive 1.2 0.05 N-ch 2-in-1 ES6 Low ON-resistance RDS(ON) = 600 m (max) (@VGS = 1.5V) 1 6 RDS(ON) = 450 m (max) (@VGS = 1.8V) RDS(ON) = 330 m (max) (@VGS = 2.5V)

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