SSM6N40TU. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SSM6N40TU

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 34 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.122 Ohm

Тип корпуса: UF6

Аналог (замена) для SSM6N40TU

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSM6N40TU даташит

 ..1. Size:206K  toshiba
 ssm6n40tu.pdf pdf_icon

SSM6N40TU

SSM6N40TU TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type SSM6N40TU Power Management Switch Applications Unit mm 2.1 0.1 High-Speed Switching Applications 1.7 0.1 4 V drive N-ch 2-in-1 1 6 Low ON-resistance Ron = 182m (max) (@VGS = 4 V) 2 5 Ron = 122m (max) (@VGS = 10 V) 3 4 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) (Q1, Q2 Common)

 8.1. Size:176K  toshiba
 ssm6n48fu.pdf pdf_icon

SSM6N40TU

SSM6N48FU TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOSIII) SSM6N48FU Load Switching Applications Unit mm 2.5-V drive N-ch 2-in-1 Low ON-resistance RDS(ON) = 3.2 (max) (@VGS = 4.0 V) RDS(ON) = 5.4 (max) (@VGS = 2.5 V) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) (Q1, Q2 Common) Characteristics Symbol Rating Unit Drain-Source voltage VDSS 30

 8.2. Size:147K  toshiba
 ssm6n44fe.pdf pdf_icon

SSM6N40TU

SSM6N44FE TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type SSM6N44FE High Speed Switching Applications Unit mm Analog Switching Applications 1.6 0.05 Compact package suitable for high-density mounting 1.2 0.05 Low ON-resistance RDS(ON) = 4.0 (max) (@VGS = 4 V) RDS(ON) = 7.0 (max) (@VGS = 2.5 V) 1 6 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) 2 5

 8.3. Size:187K  toshiba
 ssm6n42fe.pdf pdf_icon

SSM6N40TU

SSM6N42FE TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type SSM6N42FE Power Management Switch Applications High-Speed Switching Applications mm 1.6 0.05 1.5V drive 1.2 0.05 N-ch 2-in-1 ES6 Low ON-resistance RDS(ON) = 600 m (max) (@VGS = 1.5V) 1 6 RDS(ON) = 450 m (max) (@VGS = 1.8V) RDS(ON) = 330 m (max) (@VGS = 2.5V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SSM6N35FE, SSM6N35FU, SSM6N36FE, SSM6N36TU, SSM6N37CTD, SSM6N37FE, SSM6N37FU, SSM6N39TU, IRLB4132, SSM6N42FE, SSM6N43FU, SSM6N44FE, SSM6N44FU, SSM6N48FU, SSM6N7002BFE, SSM6N7002BFU, SSM6N7002FU