SSM6P40TU Todos los transistores

 

SSM6P40TU MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SSM6P40TU
   Código: PP2
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 2.9 nC
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 32 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.226 Ohm
   Paquete / Cubierta: UF6

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SSM6P40TU Datasheet (PDF)

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SSM6P40TU
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SSM6P40TU TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type SSM6P40TU Power Management Switch Applications Unit: mm2.10.1 High-Speed Switching Applications 1.70.1 4.0 V drive P-ch, 2-in-1 1 6 Low ON-resistance: Ron = 403m (max) (@VGS = 4 V) 2 5Ron = 226m (max) (@VGS = 10 V) 3 4Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) (Q1,Q2 C

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SSM6P41FE TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type(U-MOS-V) SSM6P41FE Power Management Switches 1.5-V drive Low on-resistance : RDS(ON) = 1.04 (max) (@VGS = -1.5 V) Unit: mm: RDS(ON) = 0.67 (max) (@VGS = -1.8 V) 1.60.05: RDS(ON) = 0.44 (max) (@VGS = -2.5 V) 1.20.05: RDS(ON) = 0.30 (max) (@VGS = -4.5 V) 1 6Absolute Maximum R

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SSM6P40TU
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SSM6P47NU TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type(U-MOS VI) SSM6P47NU Power Management Switch Applications Unit: mm2.00.1B 1.5V drive A Low ON-resistance:RDS(on) = 242 m (max) (@VGS = -1.5 V) RDS(on) = 170 m (max) (@VGS = -1.8 V) RDS(on) = 125 m (max) (@VGS = -2.5 V) RDS(on) = 95 m (max) (@VGS = -4.5 V) 00.05Absolute Maximum

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SSM6P49NU TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type SSM6P49NU Power Management Switch Applications Unit: mm2.00.1B 1.8V drive A Low ON-resistance: RDS(on) = 157 m (max) (@VGS = -1.8 V) RDS(on) = 76 m (max) (@VGS = -2.5 V) RDS(on) = 56 m (max) (@VGS = -4.5 V) RDS(on) = 45 m (max) (@VGS = -10V) 00.05Absolute Maximum Ratings (Ta =

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
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