SSM6P40TU MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SSM6P40TU
Маркировка: PP2
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.4 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 2.9 nC
Cossⓘ - Выходная емкость: 32 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.226 Ohm
Тип корпуса: UF6
SSM6P40TU Datasheet (PDF)
ssm6p40tu.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
SSM6P40TU TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type SSM6P40TU Power Management Switch Applications Unit: mm2.10.1 High-Speed Switching Applications 1.70.1 4.0 V drive P-ch, 2-in-1 1 6 Low ON-resistance: Ron = 403m (max) (@VGS = 4 V) 2 5Ron = 226m (max) (@VGS = 10 V) 3 4Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) (Q1,Q2 C
ssm6p41fe.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
SSM6P41FE TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type(U-MOS-V) SSM6P41FE Power Management Switches 1.5-V drive Low on-resistance : RDS(ON) = 1.04 (max) (@VGS = -1.5 V) Unit: mm: RDS(ON) = 0.67 (max) (@VGS = -1.8 V) 1.60.05: RDS(ON) = 0.44 (max) (@VGS = -2.5 V) 1.20.05: RDS(ON) = 0.30 (max) (@VGS = -4.5 V) 1 6Absolute Maximum R
ssm6p47nu.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
SSM6P47NU TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type(U-MOS VI) SSM6P47NU Power Management Switch Applications Unit: mm2.00.1B 1.5V drive A Low ON-resistance:RDS(on) = 242 m (max) (@VGS = -1.5 V) RDS(on) = 170 m (max) (@VGS = -1.8 V) RDS(on) = 125 m (max) (@VGS = -2.5 V) RDS(on) = 95 m (max) (@VGS = -4.5 V) 00.05Absolute Maximum
ssm6p49nu.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
SSM6P49NU TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type SSM6P49NU Power Management Switch Applications Unit: mm2.00.1B 1.8V drive A Low ON-resistance: RDS(on) = 157 m (max) (@VGS = -1.8 V) RDS(on) = 76 m (max) (@VGS = -2.5 V) RDS(on) = 56 m (max) (@VGS = -4.5 V) RDS(on) = 45 m (max) (@VGS = -10V) 00.05Absolute Maximum Ratings (Ta =
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
![SSM6P40TU](https://alltransistors.com/images/us.png)
![SSM6P40TU](https://alltransistors.com/images/es.png)
![SSM6P40TU](https://alltransistors.com/images/ru.png)
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPVD5N50CCFD | MPVU5N50CCFD | MPVA7N65F | MPVD4N70F | MPVU4N70F | MPVA4N70F | MPVD4N65F | MPVU4N65F | MPVA4N65F | MPVD2N65BK | MPVU2N65BK | MPVA2N65BK | MPVP20N65F | MPVA20N65F | MPVA20N50F | MPVT20N50B