TJ150F06M3L Todos los transistores

 

TJ150F06M3L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TJ150F06M3L
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 150 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1750 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0056 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220SM
     - Selección de transistores por parámetros

 

TJ150F06M3L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:284K  toshiba
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TJ150F06M3L

TJ150F06M3LMOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOS)TJ150F06M3LTJ150F06M3LTJ150F06M3LTJ150F06M3L1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Automotive Relay Drivers Motor Drivers2. Features2. Features2. Features2. Features(1) AEC-Q101 qualified(2) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 4.3 m (typ.) (VGS = -10 V)(3) Low leakage

 7.1. Size:275K  toshiba
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TJ150F06M3L

TJ150F04M3LMOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOS)TJ150F04M3LTJ150F04M3LTJ150F04M3LTJ150F04M3L1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Automotive Relay Drivers DC-DC Converters Motor Drivers2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 2.2 m (typ.) (VGS = -10 V)(2) Low leakage c

Otros transistores... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: AM90N06-19B | 2SK1336 | CSD17310Q5A | WSD4066DN | AOLF66610 | VS3618AE | SI7388DP

 

 
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