TJ20S04M3L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: TJ20S04M3L
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 41 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 16 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 250 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0222 Ohm
   Paquete / Cubierta: DPAK

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TJ20S04M3L Datasheet (PDF)

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tj20s04m3l.pdf

TJ20S04M3LMOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOS)TJ20S04M3LTJ20S04M3LTJ20S04M3LTJ20S04M3L1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Motor Drivers DC-DC Converters Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 17 m (typ.) (VGS = -10 V)(2) Low leakage current:

Otros transistores... SSM6P49NU , SSM6P54TU , TJ10S04M3L , TJ11A10M3 , TJ150F06M3L , TJ15P04M3 , TJ15S06M3L , TJ20A10M3 , STP65NF06 , TJ30S06M3L , TJ40S04M3L , TJ50S06M3L , TJ60S04M3L , TJ60S06M3L , TJ70A06J3 , TJ80S04M3L , TJ8S06M3L .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: