TJ50S06M3L Todos los transistores

 

TJ50S06M3L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TJ50S06M3L
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 90 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 77 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 560 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0138 Ohm
   Paquete / Cubierta: DPAK
 

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TJ50S06M3L Datasheet (PDF)

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TJ50S06M3L

TJ50S06M3LMOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOS)TJ50S06M3LTJ50S06M3LTJ50S06M3LTJ50S06M3L1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Motor Drivers DC-DC Converters Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 10.3 m (typ.) (VGS = -10 V)(2) Low leakage curren

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History: IPB114N03LG | QM4302D | SM4066CSK

 

 
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