TJ50S06M3L MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: TJ50S06M3L
Маркировка: J50S06M3
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 90 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 10 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 50 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 124 nC
Время нарастания (tr): 77 ns
Выходная емкость (Cd): 560 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0138 Ohm
Тип корпуса: DPAK
Аналог (замена) для TJ50S06M3L
TJ50S06M3L Datasheet (PDF)
..1. Size:238K toshiba
tj50s06m3l.pdf
tj50s06m3l.pdf
TJ50S06M3LMOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOS)TJ50S06M3LTJ50S06M3LTJ50S06M3LTJ50S06M3L1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Motor Drivers DC-DC Converters Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 10.3 m (typ.) (VGS = -10 V)(2) Low leakage curren
Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF540N , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .
