Справочник MOSFET. TJ50S06M3L

 

TJ50S06M3L Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TJ50S06M3L
   Маркировка: J50S06M3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 90 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 124 nC
   trⓘ - Время нарастания: 77 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 560 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0138 Ohm
   Тип корпуса: DPAK
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

TJ50S06M3L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:238K  toshiba
 tj50s06m3l.pdf pdf_icon

TJ50S06M3L

TJ50S06M3LMOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOS)TJ50S06M3LTJ50S06M3LTJ50S06M3LTJ50S06M3L1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Motor Drivers DC-DC Converters Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 10.3 m (typ.) (VGS = -10 V)(2) Low leakage curren

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: HSM6115 | RD02MUS2 | MTB4D0N03ATH8 | NTLGF3402PT1G

 

 
Back to Top

 


 
.