TJ70A06J3 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TJ70A06J3

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 54 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 70 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 16 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1505 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.008 Ohm

Encapsulados: TO220SIS

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TJ70A06J3 datasheet

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TJ70A06J3

TJ70A06J3 MOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOS ) TJ70A06J3 TJ70A06J3 TJ70A06J3 TJ70A06J3 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Relay Drivers DC-DC Converters Motor Drivers 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 5.6 m (typ.) (VGS = -10 V) (2) Low leakage current IDSS = -10 A (ma

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