TJ70A06J3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TJ70A06J3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 54 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1505 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm

Тип корпуса: TO220SIS

Аналог (замена) для TJ70A06J3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TJ70A06J3 даташит

 ..1. Size:229K  toshiba
 tj70a06j3.pdf pdf_icon

TJ70A06J3

TJ70A06J3 MOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOS ) TJ70A06J3 TJ70A06J3 TJ70A06J3 TJ70A06J3 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Relay Drivers DC-DC Converters Motor Drivers 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 5.6 m (typ.) (VGS = -10 V) (2) Low leakage current IDSS = -10 A (ma

Другие IGBT... TJ15S06M3L, TJ20A10M3, TJ20S04M3L, TJ30S06M3L, TJ40S04M3L, TJ50S06M3L, TJ60S04M3L, TJ60S06M3L, 8N60, TJ80S04M3L, TJ8S06M3L, TK100F04K3, TK100F06K3, TK10A50D, TK10A55D, TK10A60D, TK10S04K3L