TJ80S04M3L Todos los transistores

 

TJ80S04M3L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TJ80S04M3L
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 100 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 970 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0052 Ohm
   Paquete / Cubierta: DPAK
 

 Búsqueda de reemplazo de TJ80S04M3L MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

TJ80S04M3L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:237K  toshiba
 tj80s04m3l.pdf pdf_icon

TJ80S04M3L

TJ80S04M3LMOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOS)TJ80S04M3LTJ80S04M3LTJ80S04M3LTJ80S04M3L1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Motor Drivers DC-DC Converters Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 4.0 m (typ.) (VGS = -10 V)(2) Low leakage current

Otros transistores... TJ20A10M3 , TJ20S04M3L , TJ30S06M3L , TJ40S04M3L , TJ50S06M3L , TJ60S04M3L , TJ60S06M3L , TJ70A06J3 , AO3401 , TJ8S06M3L , TK100F04K3 , TK100F06K3 , TK10A50D , TK10A55D , TK10A60D , TK10S04K3L , TK10X40D .

History: IRF5Y3315CM | SI5479DU | SM4021NSKP | WML10N65D1B | AM1960NE | PSMN4R0-25YLC | PSMN3R8-30LL

 

 
Back to Top

 


 
.