TJ80S04M3L MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TJ80S04M3L

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 10 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 100 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 970 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0052 Ohm

Encapsulados: DPAK

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TJ80S04M3L datasheet

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TJ80S04M3L

TJ80S04M3L MOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOS ) TJ80S04M3L TJ80S04M3L TJ80S04M3L TJ80S04M3L 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Motor Drivers DC-DC Converters Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 4.0 m (typ.) (VGS = -10 V) (2) Low leakage current

Otros transistores... TJ20A10M3, TJ20S04M3L, TJ30S06M3L, TJ40S04M3L, TJ50S06M3L, TJ60S04M3L, TJ60S06M3L, TJ70A06J3, P60NF06, TJ8S06M3L, TK100F04K3, TK100F06K3, TK10A50D, TK10A55D, TK10A60D, TK10S04K3L, TK10X40D