Справочник MOSFET. TJ80S04M3L

 

TJ80S04M3L Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TJ80S04M3L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 100 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 970 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0052 Ohm
   Тип корпуса: DPAK
 

 Аналог (замена) для TJ80S04M3L

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TJ80S04M3L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:237K  toshiba
 tj80s04m3l.pdf pdf_icon

TJ80S04M3L

TJ80S04M3LMOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOS)TJ80S04M3LTJ80S04M3LTJ80S04M3LTJ80S04M3L1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Motor Drivers DC-DC Converters Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 4.0 m (typ.) (VGS = -10 V)(2) Low leakage current

Другие MOSFET... TJ20A10M3 , TJ20S04M3L , TJ30S06M3L , TJ40S04M3L , TJ50S06M3L , TJ60S04M3L , TJ60S06M3L , TJ70A06J3 , AO3401 , TJ8S06M3L , TK100F04K3 , TK100F06K3 , TK10A50D , TK10A55D , TK10A60D , TK10S04K3L , TK10X40D .

History: HGP030N10S | AFN1032 | KP784A | UPA1872BGR | 2SJ494 | 2SK3650-01SJ | 2SK3507

 

 
Back to Top

 


 
.