TJ80S04M3L Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов

   Наименование прибора: TJ80S04M3L
   Маркировка: J80S04M3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 158 nC
   trⓘ - Время нарастания: 100 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 970 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0052 Ohm
   Тип корпуса: DPAK
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам