Справочник MOSFET. TJ80S04M3L

 

TJ80S04M3L MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: TJ80S04M3L
   Маркировка: J80S04M3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 100 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 40 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 10 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 80 A
   Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 158 nC
   Время нарастания (tr): 100 ns
   Выходная емкость (Cd): 970 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0052 Ohm
   Тип корпуса: DPAK

 Аналог (замена) для TJ80S04M3L

 

 

TJ80S04M3L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:237K  toshiba
 tj80s04m3l.pdf

TJ80S04M3L TJ80S04M3L

TJ80S04M3LMOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOS)TJ80S04M3LTJ80S04M3LTJ80S04M3LTJ80S04M3L1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Motor Drivers DC-DC Converters Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 4.0 m (typ.) (VGS = -10 V)(2) Low leakage current

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top