TK10X40D Todos los transistores

 

TK10X40D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TK10X40D
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.55 Ohm
   Paquete / Cubierta: SC97 TFP
 

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TK10X40D Datasheet (PDF)

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TK10X40D

TK10X40DMOSFETs Silicon N-Channel MOS (-MOS)TK10X40DTK10X40DTK10X40DTK10X40D1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.46 (typ.)(2) High forward transfer admittance: |Yfs| = 5.0 S (typ.)(3) Low leakage current: ID

Otros transistores... TJ80S04M3L , TJ8S06M3L , TK100F04K3 , TK100F06K3 , TK10A50D , TK10A55D , TK10A60D , TK10S04K3L , STP65NF06 , TK11A45D , TK11A50D , TK11A55D , TK11A60D , TK11A65D , TK12A10K3 , TK12A45D , TK12A50D .

History: CWDM3011P | 2SK3417B | SSM2302GN | AP9591GS | VBFB2317 | VBL1101M | VS3508AE

 

 
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