TK10X40D MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TK10X40D

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 400 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.55 Ohm

Encapsulados: SC97 TFP

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TK10X40D datasheet

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TK10X40D

TK10X40D MOSFETs Silicon N-Channel MOS ( -MOS ) TK10X40D TK10X40D TK10X40D TK10X40D 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0.46 (typ.) (2) High forward transfer admittance Yfs = 5.0 S (typ.) (3) Low leakage current ID

Otros transistores... TJ80S04M3L, TJ8S06M3L, TK100F04K3, TK100F06K3, TK10A50D, TK10A55D, TK10A60D, TK10S04K3L, IRFZ46N, TK11A45D, TK11A50D, TK11A55D, TK11A60D, TK11A65D, TK12A10K3, TK12A45D, TK12A50D