TK10X40D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TK10X40D
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 400 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.55 Ohm
Paquete / Cubierta: SC97 TFP
Búsqueda de reemplazo de TK10X40D MOSFET
TK10X40D Datasheet (PDF)
tk10x40d.pdf

TK10X40DMOSFETs Silicon N-Channel MOS (-MOS)TK10X40DTK10X40DTK10X40DTK10X40D1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.46 (typ.)(2) High forward transfer admittance: |Yfs| = 5.0 S (typ.)(3) Low leakage current: ID
Otros transistores... TJ80S04M3L , TJ8S06M3L , TK100F04K3 , TK100F06K3 , TK10A50D , TK10A55D , TK10A60D , TK10S04K3L , STP65NF06 , TK11A45D , TK11A50D , TK11A55D , TK11A60D , TK11A65D , TK12A10K3 , TK12A45D , TK12A50D .
History: BL6N70A-P | IXFV22N50PS | NTD95N02R | DMP32D5SFB | P2504BDG | AP4002H | CED03N8
History: BL6N70A-P | IXFV22N50PS | NTD95N02R | DMP32D5SFB | P2504BDG | AP4002H | CED03N8



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
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