TK10X40D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TK10X40D

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 400 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.55 Ohm

Тип корпуса: SC97 TFP

Аналог (замена) для TK10X40D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK10X40D даташит

 ..1. Size:225K  toshiba
 tk10x40d.pdf pdf_icon

TK10X40D

TK10X40D MOSFETs Silicon N-Channel MOS ( -MOS ) TK10X40D TK10X40D TK10X40D TK10X40D 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0.46 (typ.) (2) High forward transfer admittance Yfs = 5.0 S (typ.) (3) Low leakage current ID

Другие IGBT... TJ80S04M3L, TJ8S06M3L, TK100F04K3, TK100F06K3, TK10A50D, TK10A55D, TK10A60D, TK10S04K3L, IRFZ46N, TK11A45D, TK11A50D, TK11A55D, TK11A60D, TK11A65D, TK12A10K3, TK12A45D, TK12A50D