Справочник MOSFET. TK10X40D

 

TK10X40D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TK10X40D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.55 Ohm
   Тип корпуса: SC97 TFP
 

 Аналог (замена) для TK10X40D

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK10X40D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:225K  toshiba
 tk10x40d.pdf pdf_icon

TK10X40D

TK10X40DMOSFETs Silicon N-Channel MOS (-MOS)TK10X40DTK10X40DTK10X40DTK10X40D1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.46 (typ.)(2) High forward transfer admittance: |Yfs| = 5.0 S (typ.)(3) Low leakage current: ID

Другие MOSFET... TJ80S04M3L , TJ8S06M3L , TK100F04K3 , TK100F06K3 , TK10A50D , TK10A55D , TK10A60D , TK10S04K3L , STP65NF06 , TK11A45D , TK11A50D , TK11A55D , TK11A60D , TK11A65D , TK12A10K3 , TK12A45D , TK12A50D .

History: GSM2309A | P0804BD8 | 2SK2417 | GT15N10S | QM4002S | TMU7N65AZ | AOTF2146L

 

 
Back to Top

 


 
.