TK12E60U MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

TK12E60U MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TK12E60U

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 144 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1700 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.4 Ohm

Encapsulados: TO220

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TK12E60U datasheet

..1. Size:250K toshiba
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TK12E60U MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS ) TK12E60U TK12E60U TK12E60U TK12E60U 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0.36 (typ.) (2) High forward transfer admittance Yfs = 7.0 S (typ.) (3) Low leakage current IDS

..2. Size:245K inchange semiconductor
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7.1. Size:251K toshiba
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TK12E60W MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS ) TK12E60W TK12E60W TK12E60W TK12E60W 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0.265 (typ.) by used to Super Junction Structure DTMOS (2) Easy to control Gate switching (3) E

7.2. Size:246K inchange semiconductor
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INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor TK12E60W ITK12E60W FEATURES Low drain-source on-resistance RDS(on) 0.3 . Enhancement mode Vth =2.7 to 3.7V (VDS = 10 V, ID=0.6mA) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION Switching Voltage Regulators ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =

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