2N6796JANTXV Todos los transistores

 

2N6796JANTXV MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2N6796JANTXV

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 25 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 100 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 8 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 900 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.18 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO205AF

Búsqueda de reemplazo de MOSFET 2N6796JANTXV

 

2N6796JANTXV Datasheet (PDF)

4.1. 2n6796u irfe130.pdf Size:145K _international_rectifier

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Provisional Data Sheet No. PD - 9.1666A IRFE130 REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED JANTX2N6796U HEXFET TRANSISTOR JANTXV2N6796U [REF:MIL-PRF-19500/557] N-CHANNEL ? 100Volt, 0.18? Product Summary ?, HEXFET ? ? The leadless chip carrier (LCC) package represents Part Number BVDSS RDS(on) ID the logical next step in the continual evolution of IRFE130 100V 0.18? 8.0A surface mount te

4.2. 2n6796 2n6798 2n6800 2n6802.pdf Size:66K _omnirel

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2N6796, JANTX2N6796 JANTXV2N6796 2N6800, JANTX2N6800, JANTXV2N6800 2N6798, JANTX2N6798 JANTXV2N6798 2N6802, JANTX2N6802, JANTXV2N6802 JANTX, JANTXV POWER MOSFET IN TO-205 AF PACKAGE, QUALIFIED TO MIL-PRF-19500/557 100 V, 200 V, 400 V & 500 V, N-Channel, Enhancement Mode MOSFET Power Transistor FEATURES Low RDS(on) Ease of Paralleling Qualified to MIL-PRF-19500/557 DESCRIPTION This h

 4.3. 2n6796.pdf Size:18K _semelab

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2N6796 MECHANICAL DATA Dimensions in mm (inches) TMOS FET TRANSISTOR N CHANNEL FEATURES VDSS = 100V ID = 8A ! ? RDSON = 0.18? TO

Otros transistores... 2N6794JANT , 2N6794JANTX , 2N6794JANTXV , 2N6794SM , 2N6795 , 2N6795-SM , 2N6796 , 2N6796JANTX , BUZ90 , 2N6796SM , 2N6797 , 2N6797LCC4 , 2N6797-SM , 2N6798 , 2N6798JANTX , 2N6798JANTXV , 2N6798SM .

 
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