TK12X53D Todos los transistores

 

TK12X53D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TK12X53D
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 525 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 22 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 135 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.58 Ohm
   Paquete / Cubierta: SC97 TFP
 

 Búsqueda de reemplazo de TK12X53D MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

TK12X53D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:188K  toshiba
 tk12x53d.pdf pdf_icon

TK12X53D

TK12X53D TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (-MOS) TK12X53D Switching Regulator Applications Unit: mm9.2 MAX. 7.0 0.2 0.4 0.1 Low drain-source ON resistance: RDS (ON) = 0.5 (typ.) 4 High forward transfer admittance: Yfs = 6.0 S (typ.) Low leakage current: IDSS = 10 A (max) (VDS = 525 V) Enhancement-mode: Vth =

 9.1. Size:193K  toshiba
 tk12x60u.pdf pdf_icon

TK12X53D

TK12X60U TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (DTMOS II) TK12X60U Switching Regulator Applications Unit: mm Low drain-source ON resistance: RDS (ON) = 0.38 (typ.) High forward transfer admittance: Yfs = 7.0 S (typ.) Low leakage current: IDSS = 100 A (max) (VDS = 600 V) Enhancement-mode: Vth = 3.0 to 5.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)

Otros transistores... TK12A53D , TK12A55D , TK12A60D , TK12A60U , TK12A65D , TK12E60U , TK12J55D , TK12J60U , IRF3205 , TK12X60U , TK130F06K3 , TK13A25D , TK13A45D , TK13A50DA , TK13A50D , TK13A55DA , TK13A60D .

History: SSM6K06FU | LNND04R120 | P4004ED

 

 
Back to Top

 


 
.