TK12X53D MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TK12X53D

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 525 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 22 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 135 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.58 Ohm

Encapsulados: SC97 TFP

 Búsqueda de reemplazo de TK12X53D MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

TK12X53D datasheet

 ..1. Size:188K  toshiba
 tk12x53d.pdf pdf_icon

TK12X53D

TK12X53D TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type ( -MOS ) TK12X53D Switching Regulator Applications Unit mm 9.2 MAX. 7.0 0.2 0.4 0.1 Low drain-source ON resistance RDS (ON) = 0.5 (typ.) 4 High forward transfer admittance Yfs = 6.0 S (typ.) Low leakage current IDSS = 10 A (max) (VDS = 525 V) Enhancement-mode Vth =

 9.1. Size:193K  toshiba
 tk12x60u.pdf pdf_icon

TK12X53D

TK12X60U TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (DTMOS II) TK12X60U Switching Regulator Applications Unit mm Low drain-source ON resistance RDS (ON) = 0.38 (typ.) High forward transfer admittance Yfs = 7.0 S (typ.) Low leakage current IDSS = 100 A (max) (VDS = 600 V) Enhancement-mode Vth = 3.0 to 5.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)

Otros transistores... TK12A53D, TK12A55D, TK12A60D, TK12A60U, TK12A65D, TK12E60U, TK12J55D, TK12J60U, IRF3205, TK12X60U, TK130F06K3, TK13A25D, TK13A45D, TK13A50DA, TK13A50D, TK13A55DA, TK13A60D