Справочник MOSFET. TK12X53D

 

TK12X53D MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: TK12X53D
   Маркировка: K12X53D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 525 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 25 nC
   trⓘ - Время нарастания: 22 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 135 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.58 Ohm
   Тип корпуса: SC97 TFP

 Аналог (замена) для TK12X53D

 

 

TK12X53D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:188K  toshiba
 tk12x53d.pdf

TK12X53D TK12X53D

TK12X53D TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (-MOS) TK12X53D Switching Regulator Applications Unit: mm9.2 MAX. 7.0 0.2 0.4 0.1 Low drain-source ON resistance: RDS (ON) = 0.5 (typ.) 4 High forward transfer admittance: Yfs = 6.0 S (typ.) Low leakage current: IDSS = 10 A (max) (VDS = 525 V) Enhancement-mode: Vth =

 9.1. Size:193K  toshiba
 tk12x60u.pdf

TK12X53D TK12X53D

TK12X60U TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (DTMOS II) TK12X60U Switching Regulator Applications Unit: mm Low drain-source ON resistance: RDS (ON) = 0.38 (typ.) High forward transfer admittance: Yfs = 7.0 S (typ.) Low leakage current: IDSS = 100 A (max) (VDS = 600 V) Enhancement-mode: Vth = 3.0 to 5.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top