TK12X53D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TK12X53D

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 525 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 135 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.58 Ohm

Тип корпуса: SC97 TFP

Аналог (замена) для TK12X53D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK12X53D даташит

 ..1. Size:188K  toshiba
 tk12x53d.pdf pdf_icon

TK12X53D

TK12X53D TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type ( -MOS ) TK12X53D Switching Regulator Applications Unit mm 9.2 MAX. 7.0 0.2 0.4 0.1 Low drain-source ON resistance RDS (ON) = 0.5 (typ.) 4 High forward transfer admittance Yfs = 6.0 S (typ.) Low leakage current IDSS = 10 A (max) (VDS = 525 V) Enhancement-mode Vth =

 9.1. Size:193K  toshiba
 tk12x60u.pdf pdf_icon

TK12X53D

TK12X60U TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (DTMOS II) TK12X60U Switching Regulator Applications Unit mm Low drain-source ON resistance RDS (ON) = 0.38 (typ.) High forward transfer admittance Yfs = 7.0 S (typ.) Low leakage current IDSS = 100 A (max) (VDS = 600 V) Enhancement-mode Vth = 3.0 to 5.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)

Другие IGBT... TK12A53D, TK12A55D, TK12A60D, TK12A60U, TK12A65D, TK12E60U, TK12J55D, TK12J60U, IRF3205, TK12X60U, TK130F06K3, TK13A25D, TK13A45D, TK13A50DA, TK13A50D, TK13A55DA, TK13A60D