TK130F06K3 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TK130F06K3

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 130 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1420 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0034 Ohm

Encapsulados: TO220SM

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TK130F06K3 datasheet

 ..1. Size:212K  toshiba
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TK130F06K3

TK130F06K3 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOSIV) TK130F06K3 Swiching Regulator, DC-DC Converter Applications Motor Drive Applications Unit mm Low drain-source ON resistance RDS (ON) = 2.6 m (typ.) 10.0 0.3 High forward transfer admittance Yfs = 220 S (typ.) 0.4 0.1 9.5 0.2 Low leakage current IDSS = 10 A (max) (V

 9.1. Size:217K  st
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TK130F06K3

STK13003 HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR STK13003 IS REVERSE PINS OUT Vs STANDARD SOT-82 PACKAGE MEDIUM VOLTAGE CAPABILITY LOW SPREAD OF DYNAMIC PARAMETERS MINIMUM LOT-TO-LOT SPREAD FOR RELIABLE OPERATION VERY HIGH SWITCHING SPEED APPLICATIONS ELECTRONIC BALLASTS FOR FLUORESCENT LIGHTING SWITCH MODE POWER SUPPLIES SOT-82 DESCRIPTION The device is

 9.2. Size:424K  jiejie micro
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TK130F06K3

JMTK130P04A Description JMT P-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Application V = -40V, I = -40A PWM Applications DS D R

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