TK13A55DA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: TK13A55DA
   Código: K13A55DA
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 45 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 550 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 38 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 190 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.48 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220SIS

Búsqueda de reemplazo de MOSFET TK13A55DA

TK13A55DA Datasheet (PDF)

..1. Size:191K toshiba
tk13a55da.pdf

TK13A55DA TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (-MOS) TK13A55DA Switching Regulator Applications Unit: mm2.7 0.210 0.3 3.2 0.2 A Low drain-source ON-resistance: RDS (ON) = 0.32 (typ.) High forward transfer admittance: |Yfs| = 6.0 S (typ.) Low leakage current: IDSS = 10 A (max) (VDS = 550 V) Enhancement mode: Vt

8.1. Size:184K toshiba
tk13a50d.pdf

TK13A50D TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (-MOS) TK13A50D Switching Regulator Applications Unit: mm2.7 0.2 10 0.3 3.2 0.2 A Low drain-source ON resistance: RDS (ON) = 0.31 (typ.) High forward transfer admittance: Yfs = 7.5 S (typ.) Low leakage current: IDSS = 10 A (max) (VDS = 500 V) Enhancement-mode

8.2. Size:177K toshiba
tk13a50da.pdf

TK13A50DA TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (-MOS) TK13A50DA Switching Regulator Applications Unit: mm Low drain-source ON-resistance: RDS (ON) = 0.39 (typ.) High forward transfer admittance: Yfs = 6.0 S (typ.) Low leakage current: IDSS = 10 A (max) (VDS = 500 V) Enhancement mode: Vth = 2.0 to 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA

8.3. Size:253K inchange semiconductor
tk13a50da.pdf

INCHANGE SemiconductoriscN-Channel MOSFET Transistor TK13A50DAITK13A50DAFEATURESLow drain-source on-resistance:RDS(ON) = 0.39 (typ.)Enhancement mode:Vth = 2.0 to 4.0V (VDS = 10 V, ID=1.0mA)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONSwitching Voltage RegulatorsABSOLUTE MAXIMUM RAT

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Liste

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