TK13A55DA MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TK13A55DA

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 45 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 550 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 190 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.48 Ohm

Encapsulados: TO220SIS

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TK13A55DA datasheet

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TK13A55DA

TK13A55DA TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type ( -MOS ) TK13A55DA Switching Regulator Applications Unit mm 2.7 0.2 10 0.3 3.2 0.2 A Low drain-source ON-resistance RDS (ON) = 0.32 (typ.) High forward transfer admittance Yfs = 6.0 S (typ.) Low leakage current IDSS = 10 A (max) (VDS = 550 V) Enhancement mode Vt

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TK13A55DA

TK13A50D TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type ( -MOS ) TK13A50D Switching Regulator Applications Unit mm 2.7 0.2 10 0.3 3.2 0.2 A Low drain-source ON resistance RDS (ON) = 0.31 (typ.) High forward transfer admittance Yfs = 7.5 S (typ.) Low leakage current IDSS = 10 A (max) (VDS = 500 V) Enhancement-mode

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TK13A55DA

TK13A50DA TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type ( -MOS ) TK13A50DA Switching Regulator Applications Unit mm Low drain-source ON-resistance RDS (ON) = 0.39 (typ.) High forward transfer admittance Yfs = 6.0 S (typ.) Low leakage current IDSS = 10 A (max) (VDS = 500 V) Enhancement mode Vth = 2.0 to 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA

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TK13A55DA

INCHANGE Semiconductor iscN-Channel MOSFET Transistor TK13A50DA ITK13A50DA FEATURES Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0.39 (typ.) Enhancement mode Vth = 2.0 to 4.0V (VDS = 10 V, ID=1.0mA) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION Switching Voltage Regulators ABSOLUTE MAXIMUM RAT

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