TK13A55DA. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TK13A55DA

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 550 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 190 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.48 Ohm

Тип корпуса: TO220SIS

Аналог (замена) для TK13A55DA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK13A55DA даташит

 ..1. Size:191K  toshiba
 tk13a55da.pdf pdf_icon

TK13A55DA

TK13A55DA TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type ( -MOS ) TK13A55DA Switching Regulator Applications Unit mm 2.7 0.2 10 0.3 3.2 0.2 A Low drain-source ON-resistance RDS (ON) = 0.32 (typ.) High forward transfer admittance Yfs = 6.0 S (typ.) Low leakage current IDSS = 10 A (max) (VDS = 550 V) Enhancement mode Vt

 8.1. Size:184K  toshiba
 tk13a50d.pdf pdf_icon

TK13A55DA

TK13A50D TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type ( -MOS ) TK13A50D Switching Regulator Applications Unit mm 2.7 0.2 10 0.3 3.2 0.2 A Low drain-source ON resistance RDS (ON) = 0.31 (typ.) High forward transfer admittance Yfs = 7.5 S (typ.) Low leakage current IDSS = 10 A (max) (VDS = 500 V) Enhancement-mode

 8.2. Size:177K  toshiba
 tk13a50da.pdf pdf_icon

TK13A55DA

TK13A50DA TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type ( -MOS ) TK13A50DA Switching Regulator Applications Unit mm Low drain-source ON-resistance RDS (ON) = 0.39 (typ.) High forward transfer admittance Yfs = 6.0 S (typ.) Low leakage current IDSS = 10 A (max) (VDS = 500 V) Enhancement mode Vth = 2.0 to 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA

 8.3. Size:253K  inchange semiconductor
 tk13a50da.pdf pdf_icon

TK13A55DA

INCHANGE Semiconductor iscN-Channel MOSFET Transistor TK13A50DA ITK13A50DA FEATURES Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0.39 (typ.) Enhancement mode Vth = 2.0 to 4.0V (VDS = 10 V, ID=1.0mA) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION Switching Voltage Regulators ABSOLUTE MAXIMUM RAT

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... TK12J60U, TK12X53D, TK12X60U, TK130F06K3, TK13A25D, TK13A45D, TK13A50DA, TK13A50D, IRFP460, TK13A60D, TK13A65D, TK13A65U, TK13E25D, TK13J65U, TK13P25D, TK14A45DA, TK14A45D