TK13A55DA - аналоги и даташиты транзистора

 

TK13A55DA - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: TK13A55DA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 550 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 190 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.48 Ohm
   Тип корпуса: TO220SIS
 

 Аналог (замена) для TK13A55DA

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK13A55DA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:191K  toshiba
 tk13a55da.pdf pdf_icon

TK13A55DA

TK13A55DA TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (-MOS) TK13A55DA Switching Regulator Applications Unit: mm2.7 0.210 0.3 3.2 0.2 A Low drain-source ON-resistance: RDS (ON) = 0.32 (typ.) High forward transfer admittance: |Yfs| = 6.0 S (typ.) Low leakage current: IDSS = 10 A (max) (VDS = 550 V) Enhancement mode: Vt

 8.1. Size:184K  toshiba
 tk13a50d.pdf pdf_icon

TK13A55DA

TK13A50D TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (-MOS) TK13A50D Switching Regulator Applications Unit: mm2.7 0.2 10 0.3 3.2 0.2 A Low drain-source ON resistance: RDS (ON) = 0.31 (typ.) High forward transfer admittance: Yfs = 7.5 S (typ.) Low leakage current: IDSS = 10 A (max) (VDS = 500 V) Enhancement-mode

 8.2. Size:177K  toshiba
 tk13a50da.pdf pdf_icon

TK13A55DA

TK13A50DA TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (-MOS) TK13A50DA Switching Regulator Applications Unit: mm Low drain-source ON-resistance: RDS (ON) = 0.39 (typ.) High forward transfer admittance: Yfs = 6.0 S (typ.) Low leakage current: IDSS = 10 A (max) (VDS = 500 V) Enhancement mode: Vth = 2.0 to 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA

 8.3. Size:253K  inchange semiconductor
 tk13a50da.pdf pdf_icon

TK13A55DA

INCHANGE SemiconductoriscN-Channel MOSFET Transistor TK13A50DAITK13A50DAFEATURESLow drain-source on-resistance:RDS(ON) = 0.39 (typ.)Enhancement mode:Vth = 2.0 to 4.0V (VDS = 10 V, ID=1.0mA)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONSwitching Voltage RegulatorsABSOLUTE MAXIMUM RAT

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... TK12J60U , TK12X53D , TK12X60U , TK130F06K3 , TK13A25D , TK13A45D , TK13A50DA , TK13A50D , IRF640 , TK13A60D , TK13A65D , TK13A65U , TK13E25D , TK13J65U , TK13P25D , TK14A45DA , TK14A45D .

History: 2SK3211

 

 
Back to Top

 


 
.