TK13P25D Todos los transistores

 

TK13P25D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TK13P25D
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 96 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 66 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.25 Ohm
   Paquete / Cubierta: DPAK
 

 Búsqueda de reemplazo de TK13P25D MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

TK13P25D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:225K  toshiba
 tk13p25d.pdf pdf_icon

TK13P25D

TK13P25DMOSFETs Silicon N-Channel MOS (-MOS)TK13P25DTK13P25DTK13P25DTK13P25D1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.19 (typ.)(2) Low leakage current: IDSS = 10 A (max) (VDS = 250 V)(3) Enhancement mode: Vth =

Otros transistores... TK13A50DA , TK13A50D , TK13A55DA , TK13A60D , TK13A65D , TK13A65U , TK13E25D , TK13J65U , IRF630 , TK14A45DA , TK14A45D , TK14A55D , TK150F04K3 , TK15A20D , TK15A50D , TK15A60D , TK15A60U .

History: SI7949DP | QM3009K | 2SK715 | IPB05CN10N | FTK4406 | AOK095A60FD | NTMD4884NFR2G

 

 
Back to Top

 


 
.