TK14A55D MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

TK14A55D MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TK14A55D

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 550 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 250 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.37 Ohm

Encapsulados: TO220SIS

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TK14A55D datasheet

..1. Size:180K toshiba
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TK14A55D TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type ( -MOS ) TK14A55D Switching Regulator Applications Unit mm Low drain-source ON-resistance RDS (ON) = 0.31 (typ.) High forward transfer admittance Yfs = 6.5 S (typ.) Low leakage current IDSS = 10 A (max) (VDS = 550 V) Enhancement mode Vth = 2.0 to 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)

..2. Size:252K inchange semiconductor
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INCHANGE Semiconductor iscN-Channel MOSFET Transistor TK14A55D ITK14A55D FEATURES Low drain-source on-resistance RDS(on) = 0.31 (typ.) Enhancement mode Vth = 2.0 to 4.0V (VDS = 10 V, ID=1.0mA) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION Switching Voltage Regulators ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

9.1. Size:234K toshiba
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TK14A65W5 MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS ) TK14A65W5 TK14A65W5 TK14A65W5 TK14A65W5 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Fast reverse recovery time trr = 100 ns (typ.) (2) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0.25 (typ.) by using Super Junction Struc

9.2. Size:238K toshiba
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TK14A65W MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS ) TK14A65W TK14A65W TK14A65W TK14A65W 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0.22 (typ.) by used to Super Junction Structure DTMOS (2) Easy to control Gate switching (3) En

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