TK15X60U MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TK15X60U

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 37 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2300 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.31 Ohm

Encapsulados: SC97 TFP

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TK15X60U datasheet

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TK15X60U

TK15X60U TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (DTMOS ) TK15X60U Switching Regulator Applications Unit mm Low drain-source ON resistance RDS (ON) = 0.25 (typ.) High forward transfer admittance Yfs = 8.5 S (typ.) Low leakage current IDSS = 100 A (max) (VDS = 600 V) Enhancement-mode Vth = 3.0 to 5.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)

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