TK15X60U Todos los transistores

 

TK15X60U MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TK15X60U
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 37 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2300 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.31 Ohm
   Paquete / Cubierta: SC97 TFP
 

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TK15X60U Datasheet (PDF)

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TK15X60U

TK15X60U TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (DTMOS) TK15X60U Switching Regulator Applications Unit: mm Low drain-source ON resistance: RDS (ON) = 0.25 (typ.) High forward transfer admittance: Yfs = 8.5 S (typ.) Low leakage current: IDSS = 100 A (max) (VDS = 600 V) Enhancement-mode: Vth = 3.0 to 5.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)

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History: FIR60N04LG | BSC016N03LSG | CHM2331QGP | BUK9E6R1-100E | FXN9N50F | BUK9E2R3-40E

 

 
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