TK15X60U. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TK15X60U

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 37 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 2300 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.31 Ohm

Тип корпуса: SC97 TFP

Аналог (замена) для TK15X60U

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK15X60U даташит

 ..1. Size:194K  toshiba
 tk15x60u.pdf pdf_icon

TK15X60U

TK15X60U TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (DTMOS ) TK15X60U Switching Regulator Applications Unit mm Low drain-source ON resistance RDS (ON) = 0.25 (typ.) High forward transfer admittance Yfs = 8.5 S (typ.) Low leakage current IDSS = 100 A (max) (VDS = 600 V) Enhancement-mode Vth = 3.0 to 5.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)

Другие IGBT... TK150F04K3, TK15A20D, TK15A50D, TK15A60D, TK15A60U, TK15E60U, TK15J50D, TK15J60U, IRFP250N, TK16A45D, TK16A55D, TK16J55D, TK17A65U, TK17J65U, TK18A30D, TK18A50D, TK18A60V