TK19A45D MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TK19A45D

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 450 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 19 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 280 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.25 Ohm

Encapsulados: TO220SIS

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TK19A45D datasheet

 ..1. Size:201K  toshiba
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TK19A45D

TK19A45D TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type ( -MOS ) TK19A45D Switching Regulator Applications Unit mm 2.7 0.2 10 0.3 3.2 0.2 A Low drain-source ON-resistance RDS (ON) = 0.19 (typ.) High forward transfer admittance Yfs = 10 S (typ.) Low leakage current IDSS = 10 A (max) (VDS = 450 V) Enhancement-mode

 9.1. Size:238K  toshiba
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TK19A45D

TK19A50W MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS ) TK19A50W TK19A50W TK19A50W TK19A50W 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0.16 (typ.) by used to Super Junction Structure DTMOS (2) Easy to control Gate switching (3) En

 9.2. Size:253K  inchange semiconductor
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TK19A45D

INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor TK19A50W, ITK19A50W FEATURES Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0.16 (typ.) Easy to control Gate switching Enhancement mode Vth = 2.7 to 3.7 V (VDS = 10 V, ID=0.79 mA) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION Switching Voltage Reg

Otros transistores... TK16A45D, TK16A55D, TK16J55D, TK17A65U, TK17J65U, TK18A30D, TK18A50D, TK18A60V, IRLB4132, TK19J55D, TK1P90A, TK1Q90A, TK20A25D, TK20A60U, TK20E60U, TK20J50D, TK20J60U