TK19A45D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: TK19A45D
   Código: K19A45D
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 450 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 19 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 45 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 280 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.25 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220SIS

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TK19A45D Datasheet (PDF)

..1. Size:201K toshiba
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TK19A45D TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (-MOS) TK19A45D Switching Regulator Applications Unit: mm2.7 0.2 10 0.3 3.2 0.2 A Low drain-source ON-resistance: RDS (ON) = 0.19 (typ.) High forward transfer admittance: Yfs = 10 S (typ.) Low leakage current: IDSS = 10 A (max) (VDS = 450 V) Enhancement-mode:

9.1. Size:238K toshiba
tk19a50w.pdf

TK19A50WMOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS)TK19A50WTK19A50WTK19A50WTK19A50W1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.16 (typ.) by used to Super Junction Structure : DTMOS(2) Easy to control Gate switching(3) En

9.2. Size:253K inchange semiconductor
tk19a50w.pdf

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor TK19A50W, ITK19A50WFEATURESLow drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.16 (typ.)Easy to control Gate switchingEnhancement mode: Vth = 2.7 to 3.7 V (VDS = 10 V, ID=0.79 mA)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONSwitching Voltage Reg

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Liste

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