BUK444-800B MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BUK444-800B
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 800 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 8 Ohm
Encapsulados: SOT186
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BUK444-800B datasheet
buk444-800a-b 1.pdf
Philips Semiconductors Product Specification PowerMOS transistor BUK444-800A/B GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATA N-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. MAX. UNIT field-effect power transistor in a plastic full-pack envelope. BUK444 -800A -800B The device is intended for use in VDS Drain-source voltage 800 800 V Switched Mode Power Supplies ID Drain current (DC) 1.4 1.2
buk444-60h 1.pdf
Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistor BUK444-60H GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATA N-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. UNIT field-effect power transistor in a plastic full-pack envelope. VDS Drain-source voltage 60 V The device is intended for use in ID Drain current (DC) 21 A Automotive applications, Switched Ptot Total power dissipation
buk444-200a-b.pdf
Philips Semiconductors Product Specification PowerMOS transistor BUK444-200A/B GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATA N-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. MAX. UNIT field-effect power transistor in a plastic full-pack envelope. BUK444 -200A -200B The device is intended for use in VDS Drain-source voltage 200 200 V Switched Mode Power Supplies ID Drain current (DC) 5.3 4.7
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History: BUK543-100A | BUK100-50DL | BUK545-100A | BUK436W-800B | BUK109-50GS | BUK555-200A
History: BUK543-100A | BUK100-50DL | BUK545-100A | BUK436W-800B | BUK109-50GS | BUK555-200A
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Liste
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