TK20P04M1 Todos los transistores

 

TK20P04M1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TK20P04M1
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 27 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 2.7 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 159 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.029 Ohm
   Paquete / Cubierta: DPAK
 

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TK20P04M1 Datasheet (PDF)

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TK20P04M1

TK20P04M1MOSFETs Silicon N-Channel MOS (U-MOS-H)TK20P04M1TK20P04M1TK20P04M1TK20P04M11. Applications1. Applications1. Applications1. Applications DC-DC Converters Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) High-speed switching(2) Low gate charge: QSW = 3.7 nC (typ.)(3) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 19 m

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