TK20P04M1 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: TK20P04M1
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 27 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 2.7 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 159 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.029 Ohm
Тип корпуса: DPAK
TK20P04M1 Datasheet (PDF)
tk20p04m1.pdf
TK20P04M1MOSFETs Silicon N-Channel MOS (U-MOS-H)TK20P04M1TK20P04M1TK20P04M1TK20P04M11. Applications1. Applications1. Applications1. Applications DC-DC Converters Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) High-speed switching(2) Low gate charge: QSW = 3.7 nC (typ.)(3) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 19 m
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918