TK20P04M1. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TK20P04M1

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 27 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 2.7 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 159 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.029 Ohm

Тип корпуса: DPAK

Аналог (замена) для TK20P04M1

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK20P04M1 даташит

 ..1. Size:237K  toshiba
 tk20p04m1.pdf pdf_icon

TK20P04M1

TK20P04M1 MOSFETs Silicon N-Channel MOS (U-MOS -H) TK20P04M1 TK20P04M1 TK20P04M1 TK20P04M1 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications DC-DC Converters Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) High-speed switching (2) Low gate charge QSW = 3.7 nC (typ.) (3) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 19 m

Другие IGBT... TK19J55D, TK1P90A, TK1Q90A, TK20A25D, TK20A60U, TK20E60U, TK20J50D, TK20J60U, AON7410, TK20S04K3L, TK20S06K3L, TK20X60U, TK25A10K3, TK25A20D, TK2A65D, TK2P60D, TK2Q60D