Справочник MOSFET. TK20P04M1

 

TK20P04M1 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: TK20P04M1
   Маркировка: K20P04M
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 27 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 40 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.3 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 20 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 15 nC
   Время нарастания (tr): 2.7 ns
   Выходная емкость (Cd): 159 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.029 Ohm
   Тип корпуса: DPAK

 Аналог (замена) для TK20P04M1

 

 

TK20P04M1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:237K  toshiba
 tk20p04m1.pdf

TK20P04M1 TK20P04M1

TK20P04M1MOSFETs Silicon N-Channel MOS (U-MOS-H)TK20P04M1TK20P04M1TK20P04M1TK20P04M11. Applications1. Applications1. Applications1. Applications DC-DC Converters Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) High-speed switching(2) Low gate charge: QSW = 3.7 nC (typ.)(3) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 19 m

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top